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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785640A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710843365.4
申请日：2017-09-18
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P3/18
Abstract: 一种基于单层微波介质的超宽带微带垂直过渡，该垂直过渡基于单层介质基板，采用上下两层金属层，每层均包括50欧姆微带线、非线性过渡耦合线、地平面、矩形地枝节和金属化接地孔；50欧姆微带线通过非线性过渡耦合线过渡到地平面，矩形地枝节从地平面延伸而出，位于非线性过渡耦合线的两侧，矩形地枝节上设置有金属化接地孔和另一层的矩形地枝节或者地平面相连接。该垂直过渡基于单层微波介质基板采用了微带准TEM模过渡到微带耦合结构再过渡到准TEM模的办法，只需要中心对称的上下两层微带结构，工艺实现简单；使用频率高，可用于Ka频段及毫米波频段；工作带宽很宽，相对带宽接近1.5倍倍频程。
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公开(公告)号：CN116759773A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310601287.2
申请日：2023-05-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种消除腔体谐振的微波封装设计方法，基于微带小岛和薄膜电阻来实现高稳定性微波封装设计。所述消除腔体谐振的微波封装设计分为两部分，首先是在封装底部微波电路基板上层设计合适的金属孤岛和薄膜电阻阵列，然后采用微波介质基板设计微波封装的介质盖板，朝向封装外侧的一面采用全金属地作为屏蔽，其朝向封装内侧的一面加载同样的金属孤岛和薄膜电阻阵列。
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公开(公告)号：CN116613507A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310627458.9
申请日：2023-05-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种星载可扩展高密度多波束有源阵列的实现方法，根据有源阵列规模将阵列划分为若干个相互独立的子阵，各子阵的包络尺寸不超过对应的辐射面口径，并具备独立的电气接口；对子阵进行模块化设计，每个子阵均包括辐射单元层、T/R组件层、多波束形成网络层，多波束形成网络层表面电装BGA封装的T/R组件层，T/R组件层表面叠装辐射单元层；将所有子阵装配在功率合成网络模块上，形成完整的有源阵列。本发明解决了星载大规模超高密度多波束相控阵的设计难度高以及定制开发周期长的关键难题。
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公开(公告)号：CN116722352A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310619570.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相控阵天线子阵，包括对外接口层、波束形成网络层、幅相多功能层、低噪放功放层和天线层，天线层、低噪放功放层设置在第一金属基PCB板上，幅相多功能层、低噪放功放层和天线层设置在第二金属基PCB板上，第一金属基PCB板的底层与第二金属基PCB板的顶层连接在一起，实现对外接口层、波束形成网络层、幅相多功能层、低噪放功放层和天线层整体封装；第一金属基PCB板、第二金属基PCB板均设置有多个接地导热通孔。本发明能够实现相控阵天线轻、小、薄的同时还具有较优的散热效果，并且有很好的可扩展性，可以进行单元数目扩展还可以进行频段扩展。
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公开(公告)号：CN107785640B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710843365.4
申请日：2017-09-18
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01P3/18
Abstract: 一种基于单层微波介质的超宽带微带垂直过渡，该垂直过渡基于单层介质基板，采用上下两层金属层，每层均包括50欧姆微带线、非线性过渡耦合线、地平面、矩形地枝节和金属化接地孔；50欧姆微带线通过非线性过渡耦合线过渡到地平面，矩形地枝节从地平面延伸而出，位于非线性过渡耦合线的两侧，矩形地枝节上设置有金属化接地孔和另一层的矩形地枝节或者地平面相连接。该垂直过渡基于单层微波介质基板采用了微带准TEM模过渡到微带耦合结构再过渡到准TEM模的办法，只需要中心对称的上下两层微带结构，工艺实现简单；使用频率高，可用于Ka频段及毫米波频段；工作带宽很宽，相对带宽接近1.5倍倍频程。
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