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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119997605A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510125580.5
申请日：2025-01-27
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有柔性薄膜晶体管的半导体结构及其制备方法。基于所述氟金云母衬底的柔性薄膜晶体管，直接转移至基板并与基板键合形成半导体结构，解决了COMS生产线的工艺和设备不适合直接在氟金云母衬底上形成Bi2O2Se薄膜并对应的制备产品的问题。同时，本发明通过设置薄的所述氟金云母衬底，使得柔性薄膜晶体管可以更好的进行转移和键合，同时薄的所述氟金云母衬底对于制备复杂的、多层的半导体结构至关重要。同时，设置较薄的所述氟金云母衬底还可以减少热阻，使得热量更快地进行传到至外部散热系统，降低半导体结构的过热风险。
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公开(公告)号：CN119556986A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510092562.1
申请日：2025-01-21
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F9/30
Abstract: 本发明公开了一种面向存储器多位宽数据写入的寄存器结构及写入方法，寄存器结构包括：命令接收寄存器组与参数缓存寄存器组。命令接收寄存器组用于接收输入命令并对命令数据进行识别，并在完成对命令数据的接收后输出命令完成信号触发参数缓存寄存器组启动；参数缓存寄存器组接收输入命令并对参数数据进行识别，以在接收到命令完成信号后根据命令数据的类型接收并打包相应的参数数据，并生成对应参数数据的数据打包完成信号，以将参数数据输入至对应的目标存储单元中。本发明实现了对命令类型的识别与多位宽数据的灵活传输，提高了数据传输效率，减少了硬件资源浪费，保证了数据传输的准确性和系统的整体性能。
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公开(公告)号：CN116666494A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310639555.X
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安交通大学 , 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供的一种两步法异质外延生长氧化镓薄膜及其制备方法,包括如下步骤：步骤1，利用等离子体增强原子层沉积法在衬底上生长氧化镓薄膜，得到氧化镓薄膜籽晶层；步骤2，在得到的氧化镓薄膜籽晶层上同质外延氧化镓薄膜主体层，最终得到异质外延氧化镓薄膜；本发明解决了目前氧化镓薄膜制备方法存在的生长速率缓慢、制备厚度在100nm以上外延片成本高的难题。
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公开(公告)号：CN119556986B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510092562.1
申请日：2025-01-21
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06F9/30
Abstract: 本发明公开了一种面向存储器多位宽数据写入的寄存器结构及写入方法，寄存器结构包括：命令接收寄存器组与参数缓存寄存器组。命令接收寄存器组用于接收输入命令并对命令数据进行识别，并在完成对命令数据的接收后输出命令完成信号触发参数缓存寄存器组启动；参数缓存寄存器组接收输入命令并对参数数据进行识别，以在接收到命令完成信号后根据命令数据的类型接收并打包相应的参数数据，并生成对应参数数据的数据打包完成信号，以将参数数据输入至对应的目标存储单元中。本发明实现了对命令类型的识别与多位宽数据的灵活传输，提高了数据传输效率，减少了硬件资源浪费，保证了数据传输的准确性和系统的整体性能。
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公开(公告)号：CN119533408A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510092726.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明公开了基于存算阵列的倾角检测方法、系统、终端及存储介质，涉及数字电路技术领域。首先获取预先构建的校准存算阵列，校准存算阵列中各计算单元存储的计算参数的确定方法包括：通过校准修正公式获取修正权重矩阵和补偿值数列，根据修正权重矩阵和补偿值数列，确定各计算单元分别存储的计算参数，计算参数为权重值或者补偿值。然后将三轴加速度原始数据输入校准存算阵列，得到三轴加速度校准数据。最后根据三轴加速度校准数据进行倾角检测。本发明将倾角检测过程中复杂的数据校准任务映射到存算阵列中执行，利用存算一体技术中存储和计算深度融合的特点，有效减少了数据搬移开销，从而实现系统功耗的降低和计算速度的提升。
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