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公开(公告)号：CN119584700A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510135565.9
申请日：2025-02-07
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本方案提供了一种基于双功能自组装钝化层的氧化镓紫外探测器及其制备方法，包括自下而上设置的衬底层、氧化剂层和双功能自组装钝化层，双功能自组装钝化层的两侧设有同氧化镓层接触的金属电极，其中双功能自组装钝化层包括自下而上设置的第一钝化层和第二钝化层，其中第一钝化层的钝化材料为降低氧化镓层表面缺陷的材料，第二钝化层的钝化材料为增强紫外光子吸收率的材料，通过将不同功能的钝化材料组合形成双功能自组装钝化层，采用双功能自组装钝化层对氧化镓紫外探测器进行钝化处理，从减少氧化镓表面缺陷和增强紫外光子吸收两方面共同提升其性能。
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公开(公告)号：CN118472093A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410665355.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了基于异质集成超表面的氧化镓日盲紫外探测器及方法，包括：衬底、氧化镓有源层、超表面阵列、电极，氧化镓有源层位于衬底之上，超表面阵列分布在氧化镓有源层上，电极在氧化镓有源层之上，且分布于超表面阵列两侧；所述超表面阵列由若干超表面单元组成，各超表面单元的电介质材料使其与氧化镓有源层界面处形成空间电荷区，其中靠近氧化镓有源层的一侧为正空间电荷区，靠经超表面单元的一侧为负空间电荷区，正负空间电荷区之间产生内建电场。本发明能有效提升氧化镓光吸收，超表面阵列与氧化镓形成异质结，产生内建电场加快光生载流子的分离，提高器件响应速度。
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公开(公告)号：CN118213406A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410356200.4
申请日：2024-03-27
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓MOSFET及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该氧化镓MOSFET的N型氧化镓导电层为含NH3等离子改性的N型氧化镓导电层，经过NH3等离子处理后显著降低了氧化铝与氧化镓界面的缺陷，使得浅能级界面缺陷最低达到了7.5×109cm‑2eV‑1，为目前报道过的氧化铝与氧化镓界面的缺陷密度的最低值。
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公开(公告)号：CN112736125A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011615006.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于NiO/(Ga1‑xAlx)2O3PN结漏端结构的晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明晶体管漏端采用NiO/(Ga1‑xAlx)2O3PN结，利用其PN结特性及进一步可实现的NiO肖特基叠加效应，实现(Ga1‑xAlx)2O3晶体管相同结构尺寸下更高击穿电压和更低的导通电阻，同时实现更小的静态功耗。本发明解决了现有(Ga1‑xAlx)2O3晶体管击穿电压和导通电阻相矛盾的问题。
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公开(公告)号：CN107680899B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710828652.8
申请日：2017-09-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种基于智能剥离技术制备异质(Ga1‑xAlx)2O3的方法，主要解决现有(Ga1‑xAlx)2O3材料热传导性差的问题。其实现方案为：1.向Ga2O3上生长的(Ga1‑xAlx)2O3材料内部注入氢或氦或氮元素，以在其内部形成与其表面相平行的注入元素层；2.将注入元素层的(Ga1‑xAlx)2O3与另一块衬底键合成一个整体；3对该整体进行低温退火并置于剥离液中，使得(Ga1‑xAlx)2O3材料在注入元素层处断裂分离，再进行表面抛光和高温退火处理，形成稳定的异质(Ga1‑xAlx)2O3材料。本发明提高了异质(Ga1‑xAlx)2O3材料的热传导性，可用于制备功率电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105895727B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610255106.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种基于弛豫GeSn材料的光电探测器，包括衬底、弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区、保护层和金属电极。弛豫层、n+型区、光吸收区、p+型区均采用GeSn材料；发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在器件的外围。本发明通过在衬底和n+型区之间插入一层Sn的组份高于n+型区、光吸收区、p+型区GeSn合金的GeSn层作为应变弛豫层，使得采用该材料生长方法和结构的光电探测器较于传统GeSn探测器有着相同Sn组份下更好的光电特性和更宽的探测范围。
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公开(公告)号：CN119133249A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411268833.6
申请日：2024-09-11
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明公开了一种异质外延氧化镓晶体管及制备方法，涉及半导体功率器件领域，用于提升异质外延生长制备器件的电学性能。本发明在蓝宝石衬底上异质外延生长掺杂浓度逐渐变化的氧化镓层，进行离子注入后高温长时间慢速热退火，在氧化镓层表面中部刻蚀栅极凹槽，并沉积高温稳定的厚栅介质叠层，制备栅金属与栅场板形成栅极，在氧化镓层表面两侧制备源金属、源场板和漏金属，最后进行介质后退火。本发明的晶体管具有制备成本低、高温热稳定性强、高开关比、高击穿电压的特点。
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公开(公告)号：CN119092582A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411192367.8
申请日：2024-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , G01J1/42 , H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种声表面波增强的Ga2O3日盲紫外探测器，包括衬底以及在衬底表面设置的压电半导体层；位于压电半导体层表面设置有金属电极和叉指换能器；所述叉指换能器作为SAW的输入端，产生声表面波；金属电极作为探测器的电极，用于载流子的收集。所述金属电极和叉指换能器分别置于压电半导体层两端，两者之间距离为l。本发明将声表面波与探测器光电机制进行深度耦合，通过声‑光‑电的物理机制以及通过优化叉指换能器的设计产生声表面波，有效调控Ga2O3能带并抑制载流子复合，实现Ga2O3探测器性能的提升，从而推动高性能Ga2O3日盲紫外光电探测器的发展。
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公开(公告)号：CN118588723A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410632867.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯与Ga2O3集成的探测器阵列及其制备方法，包括：衬底、有源层、石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极；所述有源层通过光刻和刻蚀形成隔离，构成N x N线性阵列；在石墨烯层与有源层界面处形成石墨烯/Ga2O3异质结，结区内形成内建电场；所述金属电极电流的流动方向与有源层保持平行形成横向导电。本发明采用透明电极石墨烯解决透光率低的问题；石墨烯与Ga2O3形成纵向异质结，配合横向结构设计，实现大面积透光从而提高有源层光吸收。此外，异质结区电场能够加快光生载流子分离，提高响应速度。
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公开(公告)号：CN114203797A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111438443.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/80 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了基于异质结的超结氧化镓晶体管及其制作方法与应用，属于半导体材料和器件技术领域。所述超结氧化镓晶体管包括超结结构，所述超结结构为在所述晶体管的氧化镓漂移区上形成的交错排列的氧化镓基异质PN结。本发明通过在氧化镓沟道的漂移区形成异质超结结构，对氧化镓漂移区电场分布模式进行修正，有效降低栅极边缘尖峰电场，将漂移区电场由栅极边缘向漏极方向扩散，实现氧化剂晶体管击穿电压与导通电阻制约关系的突破，可以获得更高击穿电压和更低导通电阻，获得优异性能的氧化镓器件，为氧化镓器件在电子电力领域的广泛应用奠定了坚实的基础。
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