公开(公告)号：CN118213406A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410356200.4

申请日：2024-03-27

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 王轶博 ,  韩根全 ,  贾晓乐 ,  黄舒琪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种氧化镓MOSFET及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该氧化镓MOSFET的N型氧化镓导电层为含NH3等离子改性的N型氧化镓导电层，经过NH3等离子处理后显著降低了氧化铝与氧化镓界面的缺陷，使得浅能级界面缺陷最低达到了7.5×109cm‑2eV‑1，为目前报道过的氧化铝与氧化镓界面的缺陷密度的最低值。

公开(公告)号：CN118588784B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411069192.1

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  黄舒琪 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。

公开(公告)号：CN118588784A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411069192.1

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  黄舒琪 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。

公开(公告)号：CN118099220A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410356202.3

申请日：2024-03-27

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 韩根全 ,  黄舒琪 ,  贾晓乐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及一种氧化镓MOSFET及其制备方法，属于MOSFET器件技术领域。该氧化镓MOSFET，包括衬底、N型氧化镓导电层、N型重掺杂源区、N型重掺杂漏区、AlGaO晶体介质层、源极金属、漏极金属、栅极金属。本发明的氧化镓MOSFET是以AlGaO晶体介质层作为栅介质层，AlGaO晶体介质层的空位缺陷和表面悬挂键更少，所以能显著降低了栅介质层与氧化镓界面的缺陷，使得浅能级界面缺陷最低达到了1.73×1010cm‑2eV‑1。从而解决了存在的“栅介质层与氧化镓沟道层接触界面缺陷密度较高，从而导致器件的电学性能退化”的技术问题。