公开(公告)号：CN115321976B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202210304287.1

申请日：2022-03-25

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 成鹏飞 ,  党子妍 ,  王丹

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料制备方法，具体步骤为：在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2为原料，以Nd2O3和Nb2O5作为添加剂，采用固相反应工艺，通过混料、预烧、成型、排胶、烧结工艺流程，获得巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料Ca1‑xNdxCu3Ti4‑yNbyO1。本发明在保持CCTO陶瓷材料巨介电常数的基础上提供了一种降低介电损耗的方法，即配方上通过添加Nd2O3和Nb2O5，工艺上通过固相烧结，得到了巨介电常数、低介电损耗的陶瓷材料，其在测试频率为20626Hz时，εr＝10880，tanδ＝0.020。因此本发明制备出巨介电常数低介电损耗的CCTO陶瓷材料，改善了CCTO陶瓷材料的介电性能。本发明充分运用了固相法,工艺简单，易操作，重复性高，样品性能稳定性高，易于实现规模化生产。

公开(公告)号：CN115321976A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210304287.1

申请日：2022-03-25

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 成鹏飞 ,  党子妍 ,  王丹

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料制备方法，具体步骤为：在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2为原料，以Nd2O3和Nb2O5作为添加剂，采用固相反应工艺，通过混料、预烧、成型、排胶、烧结工艺流程，获得巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料Ca1‑xNdxCu3Ti4‑yNbyO1。本发明在保持CCTO陶瓷材料巨介电常数的基础上提供了一种降低介电损耗的方法，即配方上通过添加Nd2O3和Nb2O5，工艺上通过固相烧结，得到了巨介电常数、低介电损耗的陶瓷材料，其在测试频率为20626Hz时，εr＝10880，tanδ＝0.020。因此本发明制备出巨介电常数低介电损耗的CCTO陶瓷材料，改善了CCTO陶瓷材料的介电性能。本发明充分运用了固相法,工艺简单，易操作，重复性高，样品性能稳定性高，易于实现规模化生产。