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公开(公告)号：CN104871369B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480003454.2
申请日：2014-01-09
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L21/486 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q21/065 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种贴片天线系统，其包括：集成电路管芯，其具有包括有源层的有源侧、以及背面；形成在所述背面上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的再分布层，其中，所述再分布层形成贴片阵列。所述贴片天线还包括多个穿硅通孔(TSV)，其中，所述TSV将所述贴片阵列电连接到所述有源层。
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公开(公告)号：CN106716636A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480081235.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H04R1/04 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2207/096 , B81C1/00158 , B81C2201/0132 , B81C2203/0109 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27002 , H01L2224/27618 , H01L2224/27848 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/3201 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/83005 , H01L2224/83193 , H01L2224/83438 , H01L2224/8346 , H01L2224/83488 , H01L2224/8359 , H01L2224/83688 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9222 , H01L2224/92225 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/161 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H01L2924/163 , H01L2924/166 , H04R1/406 , H04R19/005 , H04R19/04 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2221/68304
Abstract: 本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN106716636B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201480081235.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN107077946A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480080466.5
申请日：2014-08-07
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/645 , H01F17/0006 , H01F27/2804 , H01F41/041 , H01F2017/002 , H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L28/10
Abstract: 所描述的是一种装置，其包括衬底；在衬底中形成为通孔(例如，穿硅通孔(TSV))的多个孔；和形成在多个孔上方的金属层中的金属环，使得金属环的平面与多个孔正交。
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公开(公告)号：CN106797205B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201480080467.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 描述了一种装置，其包括：具有再分布层(RDL)的第一管芯的背面；设置在所述背面上的一个或多个无源平面器件，所述一个或多个无源平面器件形成在所述RDL中；具有有源区的所述第一管芯的正面；以及一个或多个过孔，其用于将所述有源区与所述一个或多个无源平面器件耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106797205A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201480080467.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L24/09 , G06F1/16 , H01F27/2804 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/525 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2223/6616 , H01L2223/6661 , H01L2223/6677 , H01L2224/0233 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H03H7/42 , H03H9/64
Abstract: 描述了一种装置，其包括：具有再分布层(RDL)的第一管芯的背面；设置在所述背面上的一个或多个无源平面器件，所述一个或多个无源平面器件形成在所述RDL中；具有有源区的所述第一管芯的正面；以及一个或多个过孔，其用于将所述有源区与所述一个或多个无源平面器件耦合。
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公开(公告)号：CN105706239A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201380080847.9
申请日：2013-12-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了用于在半导体管芯中形成穿主体过孔(TBV)隔离的共轴电容器的技术。在一些实施例中，利用所公开的技术提供的圆柱形电容器可以包括，例如由电介质材料和外导体板环绕的导电TBV。例如，根据一些实施例，可以形成TBV和外板，以便在共轴配置中彼此自对准。公开的电容器可以贯穿主管芯的主体，使得它的端子可以在其上表面和/或下表面上可及。因此，在一些情况下，根据一些实施例，主管芯可以与另一个管芯电连接，以提供管芯叠置体或其它三维集成电路(3D IC)。在一些情况下，例如，可以利用公开的电容器来提供开关式电容器电压调节器(SCVR)中的集成电容。
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公开(公告)号：CN105264743B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201480030419.X
申请日：2014-06-18
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H02J1/00 , G05F1/618 , G11C5/025 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C7/00 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H02M1/088
Abstract: 诸如异构设备的装置至少包含第一管芯和第二管芯。装置还包含第一电感元件、第二电感元件和开关控制电路。开关控制电路设置在第一管芯中。开关控制电路控制流经第一电感元件的电流，以生成第一电压。第一电压对第一管芯提供功率。第二电感元件耦接至第一电感元件。第二电感元件生成第二电压来对第二管芯提供功率。第一管芯和第二管芯可以依据不同技术制造，并且其中，第一管芯和第二管芯承受不同的最大电压。第一电压的大小可以大于第二电压的大小。
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公开(公告)号：CN105264743A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480030419.X
申请日：2014-06-18
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H02J1/00 , G05F1/618 , G11C5/025 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C7/00 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H02M1/088
Abstract: 诸如异构设备的装置至少包含第一管芯和第二管芯。装置还包含第一电感元件、第二电感元件和开关控制电路。开关控制电路设置在第一管芯中。开关控制电路控制流经第一电感元件的电流，以生成第一电压。第一电压对第一管芯提供功率。第二电感元件耦接至第一电感元件。第二电感元件生成第二电压来对第二管芯提供功率。第一管芯和第二管芯可以依据不同技术制造，并且其中，第一管芯和第二管芯承受不同的最大电压。第一电压的大小可以大于第二电压的大小。
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公开(公告)号：CN104871369A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201480003454.2
申请日：2014-01-09
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L21/486 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q21/065 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种贴片天线系统，其包括：集成电路管芯，其具有包括有源层的有源侧、以及背面；形成在所述背面上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的再分布层，其中，所述再分布层形成贴片阵列。所述贴片天线还包括多个穿硅通孔(TSV)，其中，所述TSV将所述贴片阵列电连接到所述有源层。
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