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公开(公告)号：CN114613681A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011420070.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 苏州大学文正学院
IPC: H01L21/423 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成基于II‑VI族半导体的一维纳米结构；在所述一维纳米结构的两端形成第一金属电极层和第二金属电极层，以获得存储器坯料；对所述存储器坯料进行电子辐照处理，以获得存储器。本发明的方案获得了具有大存储窗口、高开关比等特性的基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器，并且该制备方法省去了制备浮栅层、氧化物阻挡层以及隧穿层的工序，且该制备方法工艺简单。
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