公开(公告)号：CN101069088A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200580041177.5

申请日：2005-11-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  东芝陶瓷株式会社

Inventor： 林义典 ,  西风馆广幸 ,  京屋诚 ,  泉妻宏治 ,  长滨弘美 ,  M·清水 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  G01B11/30 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9506 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N2021/8841

Abstract: 本发明的表面检查装置，用于检查板状物体(100)的外周边部所形成的多个面(101a、101b、101c)，包括：对板状物体形成有多个面的外周边部进行摄影的摄影装置(30)；及对通过摄影装置得到的图像进行处理的图像处理装置；摄影装置包括：光学系统(11、12、13)，将板状物体的多个面的像引导到同一方向；及单一的摄像机单元(20)，具有摄像面(20d)并配置成使由光学系统引导到同一方向的多个面的像在摄像面上成像。

公开(公告)号：CN101151522A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010451.7

申请日：2006-03-27

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  科发伦材料株式会社

Inventor： 高野英明 ,  清水美雪 ,  仙田刚士 ,  泉妻宏治 ,  林义典 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8822 ,  H01L21/67288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。

公开(公告)号：CN101069088B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580041177.5

申请日：2005-11-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  科发伦材料株式会社

Inventor： 林义典 ,  西风馆广幸 ,  京屋诚 ,  泉妻宏治 ,  长滨弘美 ,  M·清水 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  G01B11/30 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9506 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/9503 ,  G01N2021/8841

Abstract: 本发明的表面检查装置，用于检查板状物体(100)的外周边部所形成的多个面(101a、101b、101c)，包括：对板状物体形成有多个面的外周边部进行摄影的摄影装置(30)；及对通过摄影装置得到的图像进行处理的图像处理装置；摄影装置包括：光学系统(11、12、13)，将板状物体的多个面的像引导到同一方向；及单一的摄像机单元(20)，具有摄像面(20d)并配置成使由光学系统引导到同一方向的多个面的像在摄像面上成像。

公开(公告)号：CN101151522B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680010451.7

申请日：2006-03-27

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  科发伦材料株式会社

Inventor： 高野英明 ,  清水美雪 ,  仙田刚士 ,  泉妻宏治 ,  林义典 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8822 ,  H01L21/67288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。

公开(公告)号：CN101074489A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710096111.7

申请日：2007-04-13

Applicant: 东芝陶瓷株式会社

Inventor： 渡边隆 ,  齐藤广幸 ,  仙田刚士 ,  泉妻宏治 ,  鹿岛一日儿

IPC: C30B29/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种适用于具有浅结的半导体装置之制造的硅晶片。其中硅晶片的特征在于：在距表面的深度低于50μm的区域，直径10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以下。半导体装置用硅晶片的特征在于：在距表面的深度低于50μm的区域，直径10nm以上的氧析出物密度在1×108/cm3以下；所述半导体装置用硅晶片使用热处理温度在1000℃以上、热处理时间为3msec以下的热处理而制造。

公开(公告)号：CN1940150A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610135761.3

申请日：2006-09-27

Applicant: 东芝陶瓷株式会社

Inventor： 泉妻宏治 ,  平野由美子 ,  渡边隆 ,  鹿岛一日儿 ,  齐藤广幸 ,  仙田刚士

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明为了控制结晶层错区域、抑制退火处理时的滑移发生、并且可以合格率良好地制造高强度的高品质硅片，提供了一种硅片的制造方法，即通过直拉法，在氧浓度为0.9×1018原子/cm3以上、在距离晶片外周为20mm以内的区域中氧化诱导堆垛层错密度达最大的条件下，培育硅单晶，对所述硅单晶进行切片以制得晶片，使得所得晶片的原生层错密度在晶片的所有区域中为1×107/cm3以上。