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公开(公告)号：CN112234139B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910634906.1
申请日：2019-07-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 王慧琳 , 翁宸毅 , 谢晋阳 , 李怡慧 , 刘盈成 , 施易安 , 张境尹 , 曾奕铭 , 王裕平 , 林建廷 , 何坤展 , 邹宜勋 , 李昌珉 , 曾译苇 , 赖育聪 , 谢军
Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
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公开(公告)号：CN112234139A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910634906.1
申请日：2019-07-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 王慧琳 , 翁宸毅 , 谢晋阳 , 李怡慧 , 刘盈成 , 施易安 , 张境尹 , 曾奕铭 , 王裕平 , 林建廷 , 何坤展 , 邹宜勋 , 李昌珉 , 曾译苇 , 赖育聪 , 谢军
Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
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公开(公告)号：CN117396058A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311103899.5
申请日：2019-07-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 王慧琳 , 翁宸毅 , 谢晋阳 , 李怡慧 , 刘盈成 , 施易安 , 张境尹 , 曾奕铭 , 王裕平 , 林建廷 , 何坤展 , 邹宜勋 , 李昌珉 , 曾译苇 , 赖育聪 , 谢军
Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
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