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公开(公告)号：CN110838464A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201810933058.X
申请日：2018-08-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，该制作金属内连线结构的方法为，首先形成一第一金属内连线于一基底上的一第一金属间介电层内，然后形成一遮盖层于第一金属内连线上，形成一第二金属间介电层于遮盖层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第二金属间介电层以形成一开口，进行一等离子体处理制作工艺，再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分遮盖层。
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公开(公告)号：CN112201746A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910609150.5
申请日：2019-07-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上以及一上电极于该MTJ上，然后形成一第一金属间介电层环绕该MTJ以及该上电极，形成一停止层于该第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于该停止层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除该第二金属间介电层以及该停止层，进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该上电极，再形成一金属内连线连接该上电极。
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公开(公告)号：CN117396058A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311103899.5
申请日：2019-07-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 王慧琳 , 翁宸毅 , 谢晋阳 , 李怡慧 , 刘盈成 , 施易安 , 张境尹 , 曾奕铭 , 王裕平 , 林建廷 , 何坤展 , 邹宜勋 , 李昌珉 , 曾译苇 , 赖育聪 , 谢军
Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
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公开(公告)号：CN115117230A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110291982.4
申请日：2021-03-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包括多个磁阻式随机存取存储器单元，一原子层沉积介电层位于该些磁阻式随机存取存储器单元的外侧以及该些磁阻式随机存取存储器单元之间，其中该磁阻式随机存取存储器单元的上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中的氮成分比例大于钛成分比例复又大于氧成分比例，该氮成分比例从该上电极层的顶面往内部递增直到达至一深度后开始递减至一第一水平后持平，该钛成分比例从该上电极层的顶面往内部递减至该深度后开始递增至一第二水平后持平。
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公开(公告)号：CN112201746B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN201910609150.5
申请日：2019-07-08
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上以及一上电极于该MTJ上，然后形成一第一金属间介电层环绕该MTJ以及该上电极，形成一停止层于该第一金属间介电层上，形成一第二金属间介电层于该停止层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除该第二金属间介电层以及该停止层，进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该上电极，再形成一金属内连线连接该上电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112234139B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910634906.1
申请日：2019-07-15
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 王慧琳 , 翁宸毅 , 谢晋阳 , 李怡慧 , 刘盈成 , 施易安 , 张境尹 , 曾奕铭 , 王裕平 , 林建廷 , 何坤展 , 邹宜勋 , 李昌珉 , 曾译苇 , 赖育聪 , 谢军
Abstract: 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
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公开(公告)号：CN112435983A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011082669.1
申请日：2018-08-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，其中该金属内连线结构主要包含第一金属内连线设于一基底上的一金属间介电层内且第一金属内连线上表面切齐金属间介电层上表面、一第二金属内连线设于第一金属内连线上以及一遮盖层设于第一金属内连线以及第二金属内连线之间，其中遮盖层包含一导电层以及U形接触该第一金属内连线以及该第二金属内连线。
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公开(公告)号：CN112435983B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202011082669.1
申请日：2018-08-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，其中该金属内连线结构主要包含第一金属内连线设于一基底上的一金属间介电层内且第一金属内连线上表面切齐金属间介电层上表面、一第二金属内连线设于第一金属内连线上以及一遮盖层设于第一金属内连线以及第二金属内连线之间，其中遮盖层包含一导电层以及U形接触该第一金属内连线以及该第二金属内连线。
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公开(公告)号：CN116314012A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310327743.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，该制作金属内连线结构的方法为，首先形成一第一金属内连线于一基底上的一第一金属间介电层内，然后形成一遮盖层于第一金属内连线上，形成一第二金属间介电层于遮盖层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第二金属间介电层以形成一开口，进行一等离子体处理制作工艺，再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分遮盖层。
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公开(公告)号：CN110838464B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201810933058.X
申请日：2018-08-16
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法，该制作金属内连线结构的方法为，首先形成一第一金属内连线于一基底上的一第一金属间介电层内，然后形成一遮盖层于第一金属内连线上，形成一第二金属间介电层于遮盖层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第二金属间介电层以形成一开口，进行一等离子体处理制作工艺，再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分遮盖层。
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