用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法

    公开(公告)号:CN114038989B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202111196182.0

    申请日:2021-10-14

    Abstract: 本申请提供一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法。在衬底表面形成铝金属薄膜层。通过第一掩膜对所述铝金属薄膜层进行图案化处理形成铝金属电路层。在所述铝金属电路层远离所述衬底的表面形成氧化铝薄膜层。在所述衬底的表面制备超导材料薄膜层,所述超导材料薄膜层覆盖所述氧化铝薄膜层以及所述衬底的表面。形成第二掩膜层,通过所述第二掩膜层对所述超导材料薄膜层进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层,所述超导材料电路层与所述铝金属电路层在所述衬底的投影部分重叠。清洗去除所述第二掩膜层,获得所述约瑟夫森结。上述制备方法,可以制备大面积的约瑟夫森结。

    目标追踪装置及方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118033659A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410170085.1

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明实施例公开了一种目标追踪装置及方法,该装置包括脉冲激光器、单光子相机、扫描模块、扫描控制模块、信号采集模块和追踪模块,单光子相机采用第一视场角向外部进行大视场扫描,获取待测目标的目标光子信号,追踪模块根据目标光子信号提取待测目标的目标位置和二维运动轨迹,并获得第二视场角;扫描控制模块用于根据第二视场角控制扫描模块改变脉冲激光传输的方向,以使得扫描模块对待测目标进行小视场扫描;追踪模块用于根据同步信号和回波光子信号对待测目标进行追踪。本发明利用单光子相机探测到待测目标时引导脉冲激光对待测目标进行探测,这种主、被动结合探测方式可以实现对待测目标进行大视场下的快速、高追踪灵敏度、高精度地追踪。

    高通量光子计数激光雷达成像装置及方法

    公开(公告)号:CN115856933A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211650498.7

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 本发明实施例公开了一种高通量光子计数激光雷达成像装置及方法,该装置包括光束收发模块、扫描模块、控制模块、探测模块和数据处理模块,控制模块控制扫描模块改变脉冲激光输出的方向以实现待测目标的扫描;探测模块包括单光子探测器和时间相关单光子计数采集单元;同步信号采集通道与脉冲激光器连接以采集脉冲激光同步信号。本发明引入了具备光子数分辨能力的单光子探测器,可以实现对多个回波光子的同时探测,实现不同光子数的同时响应。本发明有效解决了传统光子计数激光雷达受到低通量弱光工作条件的限制,有效提高了高通量条件下的回波光子信息的采集效率,极大地减少了脉冲累积时间,可以实现更高动态范围和更快速的目标探测。

    一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法

    公开(公告)号:CN115207202A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210531719.2

    申请日:2022-05-16

    Abstract: 本发明公开一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法,属于低温超导技术领域,制备方法主要包含以下过程:清洗基片;光刻定义底电极区域;制备Nb底电极;剥离;制备Al‑AlOx‑Al势垒层;生长Nb顶层电极;再次光刻,定义结区和顶电极区域;反应离子刻蚀和离子束刻蚀;去胶。本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结,简化了工艺;采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结,减少了器件在制备过程中界面退化的可能性,简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺,避免了复杂的加工流程,有利于约瑟夫森结的大规模制造和应用。

    一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法

    公开(公告)号:CN111994867A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010764389.2

    申请日:2020-08-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法,准备一片450微米厚2英寸的单抛 硅片和一块有若干2微米宽度微桥结构的掩模版,在清洗后的硅片表面上首先旋涂一层LOR10B底层胶,在硅片上滴上LOR10B使胶能够完全覆盖在硅片上。本发明的一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法,采用悬空掩模技术、角度蒸发生长薄膜法和反应离子刻蚀技术,制备出硅片上的纳米沟道;通过紫外曝光双层胶显影得到光刻胶悬空微桥,再通过电子束蒸发角度生长铝膜,得到铝膜的纳米间隙,最后使用铝薄膜作为掩模,通过反应离子刻蚀技术刻蚀硅片,去除铝膜后即可得到硅的纳米沟道,同时这种方法可以实现大规模量化生产,价格低廉。

    SNSPD光谱响应矩阵的标定方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN116183022A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310145950.2

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 本申请公开了一种SNSPD光谱响应矩阵的标定方法、装置、设备及介质,涉及光谱测量技术领域,包括:将单色光波长的平均波长输入至SNSPD以确定偏置电流的取值区间,并划分取值区间得到单位数据间隔;在选取的单色光波长下按照单位数据间隔的预设倍数对偏置电流进行采样,并测量第一光子计数率均值;利用第一光子计数率均值的微分处理结果确定出数据拟合区间,并对第一光子计数率均值进行数据拟合得到第二光子计数率均值;对剩余区间的偏置电流进行采样,并测量第三光子计数率均值;拼接第二、第三光子计数率均值,以基于拼接结果确定出光谱响应率数据;将光谱响应率数据作为矩阵的一列,重新选取单色光波长,直到完成光谱响应矩阵的标定。

    用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法

    公开(公告)号:CN114038989A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111196182.0

    申请日:2021-10-14

    Abstract: 本申请提供一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法。在衬底表面形成铝金属薄膜层。通过第一掩膜对所述铝金属薄膜层进行图案化处理形成铝金属电路层。在所述铝金属电路层远离所述衬底的表面形成氧化铝薄膜层。在所述衬底的表面制备超导材料薄膜层,所述超导材料薄膜层覆盖所述氧化铝薄膜层以及所述衬底的表面。形成第二掩膜层,通过所述第二掩膜层对所述超导材料薄膜层进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层,所述超导材料电路层与所述铝金属电路层在所述衬底的投影部分重叠。清洗去除所述第二掩膜层,获得所述约瑟夫森结。上述制备方法,可以制备大面积的约瑟夫森结。

    一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法

    公开(公告)号:CN115148890B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202210537121.4

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法,包括:金属掩膜遮挡部分衬底,沉积铝膜;铝膜氧化;磁控溅射沉积50nm铌膜;去除金属掩膜后,使用离子束刻蚀处理铌膜表面,露出其新的表面后,再次沉积160nm铌膜;光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形;使用反应离子刻蚀即得到结区,然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结,大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺,突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制,有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响,有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。

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