公开(公告)号：CN115148890B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202210537121.4

申请日：2022-05-17

Applicant: 南京大学 ,  网络通信与安全紫金山实验室

Inventor： 王华兵 ,  吴开轩 ,  孙汉聪 ,  杜洪梅 ,  吕阳阳 ,  吴培亨

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/80 ,  H10N60/12

Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。

公开(公告)号：CN115148890A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210537121.4

申请日：2022-05-17

Applicant: 南京大学 ,  网络通信与安全紫金山实验室

Inventor： 王华兵 ,  吴开轩 ,  孙汉聪 ,  杜洪梅 ,  吕阳阳 ,  吴培亨

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  H01L39/22

Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。