公开(公告)号：CN115207202A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210531719.2

申请日：2022-05-16

Applicant: 南京大学 ,  网络通信与安全紫金山实验室

Inventor： 王华兵 ,  黎晓杰 ,  李丁丁 ,  陈士县 ,  孙汉聪 ,  吕阳阳 ,  吴培亨

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02

Abstract: 本发明公开一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法，属于低温超导技术领域，制备方法主要包含以下过程：清洗基片；光刻定义底电极区域；制备Nb底电极；剥离；制备Al‑AlOx‑Al势垒层；生长Nb顶层电极；再次光刻，定义结区和顶电极区域；反应离子刻蚀和离子束刻蚀；去胶。本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结，简化了工艺；采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结，减少了器件在制备过程中界面退化的可能性，简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺，避免了复杂的加工流程，有利于约瑟夫森结的大规模制造和应用。

公开(公告)号：CN118591268A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410712064.8

申请日：2024-06-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 王华兵 ,  李丁丁 ,  刘涛 ,  张平 ,  吕阳阳

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/80

Abstract: 本发明公开了一种基于半悬浮桥制备平面约瑟夫森结的方法，属于电子芯片技术领域。本发明的方法包括选用蓝宝石衬底作为基片，并对蓝宝石表面进行预处理；采用直流磁控溅射在蓝宝石衬底上生长Nb薄膜；采用紫外光刻显影技术在蒸镀完的Nb薄膜上制备微米桥图形；反应离子刻蚀出微米桥的结构；在基片上旋涂双层光刻胶；采用紫外曝光技术曝光光刻胶，并显影形成半悬浮桥结构；双角度电子束蒸镀铝掩膜；反应离子刻蚀成铌微桥结。本发明主要是利用双层光刻胶溶解速率的不同，实现一个半悬浮桥结构，利用双角度电子束蒸发制备铝掩膜，来缩短平面沟道长度，突破了传统紫外光刻机分辨率的限制，工艺流程简单、周期短、实用性强、成本低。