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公开(公告)号：CN114038989A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111196182.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本申请提供一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法。在衬底表面形成铝金属薄膜层。通过第一掩膜对所述铝金属薄膜层进行图案化处理形成铝金属电路层。在所述铝金属电路层远离所述衬底的表面形成氧化铝薄膜层。在所述衬底的表面制备超导材料薄膜层，所述超导材料薄膜层覆盖所述氧化铝薄膜层以及所述衬底的表面。形成第二掩膜层，通过所述第二掩膜层对所述超导材料薄膜层进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层，所述超导材料电路层与所述铝金属电路层在所述衬底的投影部分重叠。清洗去除所述第二掩膜层，获得所述约瑟夫森结。上述制备方法，可以制备大面积的约瑟夫森结。
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公开(公告)号：CN116067511A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211718817.3
申请日：2022-12-29
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种微波单光子探测器和方法。其中，该探测器包括：金属腔腔体，包括第一谐振腔和第二谐振腔，第一谐振腔的一侧装配第一探针，第二谐振腔的一侧装配第二探针和第三探针，第二探针连接微波单光子探测器的控制读取信号输入端口，第三探针连接微波单光子探测器的控制读取信号输出端口；多端口器件，多端口器件的第一端口连接微波单光子探测器的微波单光子输入端口，多端口器件的第二端口连接第一探针，多端口器件的第三端口连接第一探针连接微波单光子探测器的微波单光子输出端口；超导量子比特，横贯第一谐振腔和第二谐振腔。本发明解决了相关技术中对微波单光子探测的探测效果差的技术问题。
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公开(公告)号：CN117555357A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311494427.7
申请日：2023-11-10
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G05D3/12
Abstract: 本申请公开了一种快速反射镜的控制方法、系统、电子设备及存储介质，所属的技术领域为激光跟瞄技术。所述快速反射镜的控制方法包括：确定快速反射镜的测试角度集合；控制所述快速反射镜按照所述测试角度集合中的所述偏转角度进行转动，得到每一所述偏转角度下出射激光在所述光电探测器靶面的激光照射点；根据所述激光照射点的坐标值和所述偏转角度计算方向矢量组；接收激光跟瞄任务，根据所述方向矢量组计算所述激光跟瞄任务对应的角度修正值，并控制所述快速反射镜按照所述角度修正值转动。本申请能够实现快速反射镜的快速标定，提高对入射激光的跟踪精度。
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公开(公告)号：CN111983533B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010764379.9
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种内置于多种低温平台的超导测试装置，包括样品固定器、顶盖、超导线圈、接线PCB板与线圈支架，所述超导线圈位于线圈支架的中部，所述样品固定器位于线圈支架的内部，所述接线PCB板位于样品固定器的一侧，所述顶盖位于样品固定器一侧。本装置通过内置制冷机内部的方式，适用于多种类型低温测试系统的测试装置，能够集成微波测试天线。本发明能够利用低温环境和超导线材减小线圈导线电阻，能够增大相同匝数的磁场大小。为了减小热辐射，顶盖可以密封测试内部样品台，减小外部环境噪声。密封可以减小热辐射，超导线圈在较小的电流下能够产生较大的磁场，该装置能够满足低温测试环境需求。
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公开(公告)号：CN111983533A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010764379.9
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种应用于多种低温平台的超导测试装置，包括样品固定器、顶盖、超导线圈、接线PCB板与线圈支架，所述超导线圈位于线圈支架的中部，所述样品固定器位于线圈支架的内部，所述接线PCB板位于样品固定器的一侧，所述接线PCB板的上端活动连接有顶盖，本装置适用与多种类型低温测试系统的测试装置，能够集成微波测试天线。本发明能够减小线圈导线电阻，能够增大相同匝数和电流下的磁场大小和均匀性，为了让磁场均匀能够施加在磁场，顶盖可以密封测试装置，密封可以隔离电磁辐射等，产生的磁场比较均匀，而且在较小的电流下，能够产生较大的磁场，能够满足低温测试环境需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115148890B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210537121.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。
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公开(公告)号：CN117040460A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311057881.6
申请日：2023-08-21
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森参量放大器及其制备方法，适用于放大器设计制备领域。通过解理技术从单晶中获得高质量二维介质材料片，并使其与平板电容下极板和接地平面紧密贴合，再通过制备平板电容上级板和超导量子干涉仪即可实现高性能约瑟夫森参量放大器的制备，本发明可有效避免生长介质层的缺陷问题，可以提高约瑟夫森参量放大器的性能，同时也降低了工艺复杂度和对制备设备的要求，提高了制备效率、极大地降低制备成本。
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公开(公告)号：CN115148890A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210537121.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。
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公开(公告)号：CN115015157A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210560740.5
申请日：2022-05-20
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开一种基于超导太赫兹源辐射光斑的太赫兹成像装置，包括太赫兹波发生系统、太赫兹波检测系统和信号采集与转换系统；太赫兹波发生系统为成像装置提供太赫兹源；太赫兹波检测系统实现太赫兹信号的检测；信号采集与转换系统把测到的电流信号、电压信号和辐射强度信号转换成计算机可识别的数字信号，并绘制成图片。本发明超导太赫兹源产生的太赫兹波经过平凸透镜扩束后得到较大光斑用于给物体成像，再经斩波器调制后被太赫兹检波器所测量。本发明能够利用超导太赫兹源辐射出的光斑进行成像，具有成本低、系统简单和效率高等优点，降低了现有的太赫兹成像系统的复杂度，有着广阔的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN114038989B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111196182.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本申请提供一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法。在衬底表面形成铝金属薄膜层。通过第一掩膜对所述铝金属薄膜层进行图案化处理形成铝金属电路层。在所述铝金属电路层远离所述衬底的表面形成氧化铝薄膜层。在所述衬底的表面制备超导材料薄膜层，所述超导材料薄膜层覆盖所述氧化铝薄膜层以及所述衬底的表面。形成第二掩膜层，通过所述第二掩膜层对所述超导材料薄膜层进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层，所述超导材料电路层与所述铝金属电路层在所述衬底的投影部分重叠。清洗去除所述第二掩膜层，获得所述约瑟夫森结。上述制备方法，可以制备大面积的约瑟夫森结。
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