公开(公告)号：CN115207202A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210531719.2

申请日：2022-05-16

Applicant: 南京大学 ,  网络通信与安全紫金山实验室

Inventor： 王华兵 ,  黎晓杰 ,  李丁丁 ,  陈士县 ,  孙汉聪 ,  吕阳阳 ,  吴培亨

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02

Abstract: 本发明公开一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法，属于低温超导技术领域，制备方法主要包含以下过程：清洗基片；光刻定义底电极区域；制备Nb底电极；剥离；制备Al‑AlOx‑Al势垒层；生长Nb顶层电极；再次光刻，定义结区和顶电极区域；反应离子刻蚀和离子束刻蚀；去胶。本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结，简化了工艺；采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结，减少了器件在制备过程中界面退化的可能性，简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺，避免了复杂的加工流程，有利于约瑟夫森结的大规模制造和应用。

公开(公告)号：CN112467022B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202011326012.5

申请日：2020-11-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 王华兵 ,  齐在栋 ,  徐祖雨 ,  黎晓杰 ,  吕阳阳 ,  孙汉聪 ,  吴培亨

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/80 ,  H10N60/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  G01Q60/10 ,  G01R33/00 ,  G01R33/035

Abstract: 本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。

公开(公告)号：CN112467022A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011326012.5

申请日：2020-11-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 王华兵 ,  齐在栋 ,  徐祖雨 ,  黎晓杰 ,  吕阳阳 ,  孙汉聪 ,  吴培亨

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/02 ,  H01L39/22 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  G01Q60/10 ,  G01R33/00 ,  G01R33/035

Abstract: 本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。