公开(公告)号：CN117264629A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310656726.X

申请日：2023-06-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体组合物，其包括至少两种C3或C4有机氟化合物和氟化钼，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是异构体。

公开(公告)号：CN112242285A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010683613.5

申请日：2020-07-15

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金大炫 ,  罗世源 ,  朴宣柱

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种用于处理基板的装置和方法。用于处理基板的装置包括：工艺腔室，在所述工艺腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将工艺气体供应至所述处理空间中；RF电源，其供应RF信号以将所述工艺气体激发成等离子体；和匹配电路，其连接在所述RF电源与所述工艺腔室之间。所述匹配电路包括：阻抗匹配设备，其执行阻抗匹配；和谐波去除设备，其去除由所述RF电源引起的谐波。当感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第一模式操作；当未感测到由所述RF电源引起的所述谐波时，所述匹配电路以第二模式操作。

公开(公告)号：CN116895507A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310279399.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  闵庚石 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20

Abstract: 提供了一种基板加工装置，该基板加工装置包括：腔室，在该腔室内部具有加工空间；支撑单元，其布置在加工空间中，在支撑单元上放置基板，并且该支撑单元在其内部包括标签材料层，该标签材料层包括标签材料；等离子体源，其被配置为从加工空间中的加工气体生成等离子体；以及测量装置，其被配置为检测标签材料，其中，当支撑单元被蚀刻到大于或等于第一深度的深度时，标签材料层被暴露。

公开(公告)号：CN116891746A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310340720.1

申请日：2023-03-31

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种蚀刻气体组合物，包括碳数C3或碳数C4的至少两种有机氟化合物，其中所述至少两种有机氟化合物彼此异构。

公开(公告)号：CN116364518A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211716291.5

申请日：2022-12-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  闵庚石 ,  沈铉宗 ,  丁宣旭 ,  文商珉 ,  宣皓中

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，基板在处理空间中被处理；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过该通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应至处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，并且密度调整构件位于喷淋板上。