公开(公告)号：CN109037018A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810588738.2

申请日：2018-06-08

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 文商珉

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68757 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32623

Abstract: 公开了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：卡盘，其被构造为在被供应工艺气体的腔室的处理空间中支撑基板；以及围绕卡盘的环组件，该环组件包括内环、围绕该内环定位的外环以及驱动器，内环被定位成使得内环的一部分围绕由卡盘支撑的基板的外侧，驱动器被构造成使外环上下移动。

公开(公告)号：CN117264629A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310656726.X

申请日：2023-06-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体组合物，其包括至少两种C3或C4有机氟化合物和氟化钼，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是异构体。

公开(公告)号：CN114695052A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111348368.3

申请日：2021-11-15

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金斗淳 ,  文商珉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种工程腔室及包括所述工程腔室的基板处理装置。所述基板处理装置可包括上部电极、配置在所述上部电极的下方的气体分配单元、配置在所述气体分配单元的下方的喷头，包括与所述喷头接触且测量所述喷头的温度的第一温度传感器的温度传感器单元及配置在所述喷头的下部的下部电极。所述第一温度传感器可通过所述上部电极及所述气体分配单元后直接接触所述喷头。本发明的基板处理装置能够准确地测量在处理空间进行的工序的温度。

公开(公告)号：CN116895507A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310279399.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  闵庚石 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20

Abstract: 提供了一种基板加工装置，该基板加工装置包括：腔室，在该腔室内部具有加工空间；支撑单元，其布置在加工空间中，在支撑单元上放置基板，并且该支撑单元在其内部包括标签材料层，该标签材料层包括标签材料；等离子体源，其被配置为从加工空间中的加工气体生成等离子体；以及测量装置，其被配置为检测标签材料，其中，当支撑单元被蚀刻到大于或等于第一深度的深度时，标签材料层被暴露。

公开(公告)号：CN116891746A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310340720.1

申请日：2023-03-31

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种蚀刻气体组合物，包括碳数C3或碳数C4的至少两种有机氟化合物，其中所述至少两种有机氟化合物彼此异构。

公开(公告)号：CN116364518A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211716291.5

申请日：2022-12-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  闵庚石 ,  沈铉宗 ,  丁宣旭 ,  文商珉 ,  宣皓中

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，基板在处理空间中被处理；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过该通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应至处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，并且密度调整构件位于喷淋板上。