公开(公告)号：CN103295867B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310061470.4

申请日：2013-02-27

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具一教 ,  沈铉宗

IPC: H01J37/32

CPC classification number: B05C11/00 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/67126

Abstract: 本发明涉及等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备。提供了一种用于处理基板的设备。该设备包括设置在处理室内以围绕在支撑单元上面限定的排放空间的等离子体边界限制器单元。该等离子体边界限制器单元包括沿着排放空间的圆周设置的多个板，所述多个板沿着排放空间的圆周相互间隔开，使得排放空间内的气体通过在相邻板之间提供的通道而流到排放空间外面。

公开(公告)号：CN103295867A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310061470.4

申请日：2013-02-27

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 具一教 ,  沈铉宗

IPC: H01J37/32

CPC classification number: B05C11/00 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/67126

Abstract: 本发明涉及等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备。提供了一种用于处理基板的设备。该设备包括设置在处理室内以围绕在支撑单元上面限定的排放空间的等离子体边界限制器单元。该等离子体边界限制器单元包括沿着排放空间的圆周设置的多个板，所述多个板沿着排放空间的圆周相互间隔开，使得排放空间内的气体通过在相邻板之间提供的通道而流到排放空间外面。

公开(公告)号：CN117264629A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310656726.X

申请日：2023-06-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体组合物，其包括至少两种C3或C4有机氟化合物和氟化钼，并且所述至少两种C3或C4有机氟化合物是异构体。

公开(公告)号：CN116895507A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310279399.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  闵庚石 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20

Abstract: 提供了一种基板加工装置，该基板加工装置包括：腔室，在该腔室内部具有加工空间；支撑单元，其布置在加工空间中，在支撑单元上放置基板，并且该支撑单元在其内部包括标签材料层，该标签材料层包括标签材料；等离子体源，其被配置为从加工空间中的加工气体生成等离子体；以及测量装置，其被配置为检测标签材料，其中，当支撑单元被蚀刻到大于或等于第一深度的深度时，标签材料层被暴露。

公开(公告)号：CN116891746A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310340720.1

申请日：2023-03-31

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 闵庚石 ,  沈铉宗 ,  文商珉 ,  朴宣柱 ,  郑桓 ,  李娜沇

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种蚀刻气体组合物，包括碳数C3或碳数C4的至少两种有机氟化合物，其中所述至少两种有机氟化合物彼此异构。

公开(公告)号：CN116364518A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211716291.5

申请日：2022-12-29

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴宣柱 ,  闵庚石 ,  沈铉宗 ,  丁宣旭 ,  文商珉 ,  宣皓中

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，基板在处理空间中被处理；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过该通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应至处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，并且密度调整构件位于喷淋板上。