公开(公告)号：CN116190287A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202210943880.0

申请日：2022-08-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  朴玩哉 ,  金东勳 ,  李城吉 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  韩旻成 ,  李宰厚

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供针对每个工艺模块配置单独的负载锁定腔室的基板处理装置及包括该基板处理装置的半导体制造设备。所述半导体制造设备包括：分度模块，包括第一搬运机械手，并且用于利用第一搬运机械手来取出装载在容器中的基板并进行传递；传送模块，包括第二搬运机械手，并且用于利用第二搬运机械手来中转由分度模块传递的基板；缓冲腔室，用于加热由传送模块中转的基板；以及工艺腔室，用于处理被缓冲腔室加热的基板，其中，缓冲腔室在基板被搬入工艺腔室之前的等待期间加热基板。

公开(公告)号：CN109390250B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201810863494.4

申请日：2018-08-01

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金度延 ,  金袗圭 ,  朱润锺 ,  韩旻成 ,  元俊皓 ,  玄龙卓

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。根据本发明的一个实施例的基板处理装置，其包括：处理液供给管；喷嘴部，从所述处理液供给管供给处理液，并向基板吐出处理液；光源部，对从所述喷嘴部吐出的处理液进行紫外线照射。根据本发明，通过向经过处理液供给管的过程中带电的处理液进行紫外线照射来对处理液进行除电，最小化因上述原因导致基板被周围颗粒物所污染或基板上发生电弧现象的问题。

公开(公告)号：CN107579018B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201710386836.3

申请日：2017-05-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔基勋 ,  金袗圭 ,  朱润钟 ,  韩旻成 ,  姜秉万

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/02

Abstract: 公开了一种液体处理装置和一种液体处理方法。该液体处理装置包括：提供用于加工基板的空间的室；设置在该室中以支撑基板的支撑单元；喷射单元，其具有喷嘴以用于向由支撑单元支撑的基板供应清洁介质；以及辅助喷射单元，其具有辅助喷嘴以用于向由支撑单元支撑的基板供应防污染液体。

公开(公告)号：CN110690140B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910602579.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 韩旻成 ,  金度延 ,  金袗圭 ,  朱润钟

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的设备，包括：处理容器，其内部具有处理空间；基板支撑单元，其支撑所述处理容器中的基板并且使所述基板在所述处理容器中旋转；以及喷嘴单元，其将处理液体分配到所述基板上。所述喷嘴单元包括：喷嘴，其分配所述处理液体；和紫外线(UV)光供应单元，其发射UV光以活化分配到所述基板上的所述处理液体的自由基。

公开(公告)号：CN116266525A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211135738.X

申请日：2022-09-19

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李城吉 ,  严永堤 ,  卢明燮 ,  吴东燮 ,  韩旻成 ,  金东勳 ,  朴玩哉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种能够有效地控制硅层与氧化层的选择比的利用等离子体的基板处理装置。该基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；第二空间，布置在离子阻挡件与喷头之间；处理空间，位于喷头的下方，并用于处理基板；第一供给孔，用于向第一空间提供用于产生等离子体的第一气体；第二供给孔，用于向第二空间提供与等离子体的馏出物混合的第二气体；以及第一涂层，形成在喷头的面向第二空间的第一表面上，不形成在喷头的面向处理空间的第二表面上，并且包含镍。

公开(公告)号：CN112735976A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011174824.2

申请日：2020-10-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 韩旻成 ,  朴玩哉 ,  朱润钟 ,  李宰厚

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及可缩减工序时间的基板处理装置，本发明的基板处理装置包括：分度室，设置有装载、卸载基板的移送机器人；工序室，设置有对基板进行加热的加热单元，对基板进行工序处理；负载锁定室，配置于上述分度室与上述工序室之间；以及搬送室，形成于上述工序室与上述负载锁定室之间，设置有用于移送基板的搬送机器人，在上述搬送机器人设置有对工序处理前状态的基板进行预先加热的预先加热单元。

公开(公告)号：CN116364509A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211456136.4

申请日：2022-11-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  韩旻成 ,  李城吉 ,  朴玩哉 ,  吴东燮 ,  朱润钟 ,  卢明燮

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理装置及基板处理方法。该基材处理装置包括：具有内部空间的腔室；喷淋头，该喷淋头用于将内部空间划分为上部第一区域和下部第二区域、并形成有多个贯通孔；用于在第二区域中支承基板的支承单元；用于向第一区域供应气体的气体供应单元；用于通过激发气体而在第一区域中形成等离子体的等离子体源；以及联接至喷淋头的吸附板，其中所述吸附板的表面设置有吸附等离子体中包含的基团的材料。

公开(公告)号：CN110690140A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910602579.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 韩旻成 ,  金度延 ,  金袗圭 ,  朱润钟

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的设备，包括：处理容器，其内部具有处理空间；基板支撑单元，其支撑所述处理容器中的基板并且使所述基板在所述处理容器中旋转；以及喷嘴单元，其将处理液体分配到所述基板上。所述喷嘴单元包括：喷嘴，其分配所述处理液体；和紫外线(UV)光供应单元，其发射UV光以活化分配到所述基板上的所述处理液体的自由基。

公开(公告)号：CN106158707B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610324358.9

申请日：2016-05-16

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金鹏 ,  韩旻成 ,  林舟楫 ,  金禹永

IPC: H01L21/67

CPC classification number: F26B21/145 ,  F26B3/04 ,  F26B9/06 ,  F26B21/10 ,  F26B21/12 ,  F26B21/14 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

Abstract: 根据本发明的基板干燥装置包含：腔室，其提供处理基板的空间；以及流体供给单元，其向所述腔室供给工艺流体，所述流体供给单元，包含：供给罐，其用于储存所述流体；供给线，其连接所述供给罐和所述腔室；分支线，其在所述供给线的第一支点分支，在所述供给线的第二支点连接；以及温度调节单元，其在所述第一支点和所述第二支点之间，以使得在所述供给线和所述分支线流动的流体的温度不同的方式调节所述流体的温度。

公开(公告)号：CN117410164A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310438655.6

申请日：2023-04-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 安成杓 ,  朱润钟 ,  林铉民 ,  韩旻成 ,  李宰厚

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种衬底处理装置，包括：处理室，包括等离子体生成区、气体混合区和衬底处理区；第一气体供应管线，向等离子体生成区供应第一处理气体；第二气体供应管线，向气体混合区供应第二处理气体；离子阻挡器，设置在等离子体生成区和气体混合区之间；以及喷头，设置在气体混合区和衬底处理区之间，其中，离子阻挡器具有第一阻挡器流动路径单元，该第一阻挡器流动路径单元连接到第二气体供应管线并且对等离子体生成区开放，使得第二处理气体被供应给等离子体生成区。