公开(公告)号：CN111081559B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201911001477.0

申请日：2019-10-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李恒林 ,  高定奭 ,  金光燮 ,  金度延 ,  金旼永 ,  朴志焄 ,  金允基 ,  金度宪 ,  李忠现 ,  李孝锡 ,  张秀逸

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种能够在不使用诸如粘附膜和焊料凸点的接合介质的情况下，将裸芯接合至基板或将多个基板接合在一起的裸芯接合装置、基板接合装置、裸芯接合方法以及基板接合方法。裸芯接合方法包括通过等离子体处理使裸芯的接合表面亲水化；通过将包括水的液体供应至基板的接合区域而在基板的接合区域上形成液膜；通过使裸芯与液膜接触而将裸芯预接合至基板；以及通过在一个或多个裸芯预接合至基板的状态下执行热处理而将一个或多个裸芯同时后接合至基板。(56)对比文件WO 2007043152 A1,2007.04.19CN 104603923 A,2015.05.06US 2015129135 A1,2015.05.14US 2013256911 A1,2013.10.03US 2015189204 A1,2015.07.02FR 2987626 A1,2013.09.06

公开(公告)号：CN113658843A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110512756.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李恒林 ,  金旼永 ,  朴志焄

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明构思的实施方案提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：下电极，其具有上表面，基板定位在所述上表面上；等离子体生成设备，其设置在所述下电极的上部处，具有上电极，且具有由多个分隔壁分隔的独立放电空间；和控制器，其执行控制以分别将反应气体独立地供应至所述独立放电空间中。

公开(公告)号：CN111834191A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010312814.4

申请日：2020-04-20

Applicant: 细美事有限公司 ,  光云大学校产学协力团

Inventor： 朴志焄 ,  崔银河 ,  李恒林 ,  金旼永 ,  崔珍成 ,  林俊燮

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种用于处理基板的装置及方法。前述装置包括：支撑单元，其支撑前述基板；上部电极单元，其安置于前述支撑单元上；气体供应单元，其耦接至前述上部电极单元且将制程气体供应至前述基板上；下部电极单元，其安置于置放在前述支撑单元上的前述基板下；及电源，其将电力施加至前述上部电极单元的上部电极且将前述下部电极接地。前述上部电极单元包括基底部件、形成于前述基底部件上的介电层及按在前述介电层上的网格结构提供且产生等离子的前述上部电极。

公开(公告)号：CN113658843B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202110512756.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李恒林 ,  金旼永 ,  朴志焄

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明构思的实施方案提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：下电极，其具有上表面，基板定位在所述上表面上；等离子体生成设备，其设置在所述下电极的上部处，具有上电极，且具有由多个分隔壁分隔的独立放电空间；和控制器，其执行控制以分别将反应气体独立地供应至所述独立放电空间中。

公开(公告)号：CN115692154A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210863180.0

申请日：2022-07-20

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  朴玩哉 ,  金东勋 ,  李城吉 ,  朴志焄

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理方法。用于处理在其位置处堆叠有薄膜并在其上形成有孔的基板的所述基板处理方法包括：作为第一处理步骤，使用包含离子的第一等离子体来处理所述基板；以及作为第二处理步骤，使用去除离子的第二等离子体来处理所述基板。

公开(公告)号：CN115394624A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210571132.4

申请日：2022-05-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金东勋 ,  朴玩哉 ,  朴志焄 ,  金杜里

IPC: H01J37/32 ,  H01J65/00

Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。基板处理装置包括：腔室，其具有内部空间；等离子体源，其配置为施加电场；第一气体供应单元，其配置为将第一工艺气体供应至等离子体源将电场施加到的区域，当第一工艺气体在第一压力气氛下施加有第一强度的电场时，第一工艺气体被激发成等离子体；支承单元，其设置在内部空间中且配置为支承待处理的基板；和无电极灯，其设置在内部空间中、在基板的上方，并且其中无电极灯包括：电场传输壳体，在该电场传输壳体中具有放电空间；和放电材料，其包括发光材料且填充放电空间，壳体的放电空间被加压至第二压力，并且放电材料当在第二压力下施加有比第一强度高的第二强度的电场时放电并发光。

公开(公告)号：CN111081559A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911001477.0

申请日：2019-10-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李恒林 ,  高定奭 ,  金光燮 ,  金度延 ,  金旼永 ,  朴志焄 ,  金允基 ,  金度宪 ,  李忠现 ,  李孝锡 ,  张秀逸

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种能够在不使用诸如粘附膜和焊料凸点的接合介质的情况下，将裸芯接合至基板或将多个基板接合在一起的裸芯接合装置、基板接合装置、裸芯接合方法以及基板接合方法。裸芯接合方法包括通过等离子体处理使裸芯的接合表面亲水化；通过将包括水的液体供应至基板的接合区域而在基板的接合区域上形成液膜；通过使裸芯与液膜接触而将裸芯预接合至基板；以及通过在一个或多个裸芯预接合至基板的状态下执行热处理而将一个或多个裸芯同时后接合至基板。

公开(公告)号：CN118263111A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311729674.0

申请日：2023-12-15

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴志焄 ,  朴玩哉 ,  李城吉 ,  吴东燮 ,  吉惠晙 ,  金胤宇 ,  郑多永

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/318 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种形成包括氮化硅的图案结构的方法。根据本公开的实施例，形成图案结构的所述方法包括：将具有一个表面的基底提供到基底处理设备中的步骤，在所述一个表面上形成有图案结构，所述图案结构包括凹槽区域，在所述凹槽区域中开口周边部分和底部部分由第一氮化硅制成；在所述第一氮化硅上沉积第二氮化硅的沉积步骤；蚀刻所述第二氮化硅的蚀刻步骤；以及在一个循环中执行上述步骤n次直到去除构成所述底部部分的所述第一氮化硅的步骤。

公开(公告)号：CN117747397A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311218809.7

申请日：2023-09-20

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金东勋 ,  朴玩哉 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  朴志焄

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：电极板，其被施加电力；离子阻挡器，其位于所述电极板的底侧，在所述离子阻挡器上形成有多个顶孔，并且所述离子阻挡器接地；喷头，其位于所述离子阻挡器的底侧，并且在所述喷头上形成有多个底孔；以及湍流发生单元，其配置成在内部具有湍流空间，并且所述湍流发生单元位于所述离子阻挡器和所述喷头之间的空间，并且其中当从上方观察时，所述顶孔定位成与所述湍流空间重叠，并且所述底孔位于所述湍流空间的外侧，并且当从下方观察时，所述底孔面对所述离子阻挡器的底表面和所述湍流发生单元的外壁中的至少一者。

公开(公告)号：CN116978766A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202210438866.5

申请日：2022-04-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金旼永 ,  李恒林 ,  朴志焄

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供了在双区中依次执行对模片的还原处理和活性化处理的模片表面处理装置及具有其的模片接合系统。所述模片表面处理装置包括：台，支承模片；第一等离子体生成部，设置在模片的移动路径上，并且在第一等离子体区域中对模片的表面进行还原处理；以及第二等离子体生成部，设置在模片的移动路径上，并且在第二等离子体区域中对模片的表面进行亲水化处理。