公开(公告)号：CN101740434B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200910226485.5

申请日：2009-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  池田昌夫

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/34 ,  G01N21/63

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/6489

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法。对氧化物半导体层的非破坏性测试方法包括如下步骤：向要测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；以及基于测量结果，估计目标氧化物半导体层的膜特性。

公开(公告)号：CN101140861B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710182175.9

申请日：2007-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小野秀树 ,  谷口理

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/91 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在生长在半导体衬底的器件层中形成预定器件，在器件层和半导体衬底之间具有牺牲层；在支撑衬底接合在器件层的侧面的同时，通过蚀刻移除牺牲层以分离半导体衬底和器件层，其中在移除牺牲层的步骤中，在牺牲层移除之前形成从器件层延伸到牺牲层的凹槽，以及使用蚀刻溶液经由凹槽渗透到牺牲层。

公开(公告)号：CN101740434A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226485.5

申请日：2009-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  池田昌夫

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/34 ,  G01N21/63

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/6489

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法。对氧化物半导体层的非破坏性测试方法包括如下步骤：向要测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；以及基于测量结果，估计目标氧化物半导体层的膜特性。

公开(公告)号：CN101140861A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710182175.9

申请日：2007-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小野秀树 ,  谷口理

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/91 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在生长在半导体衬底的器件层中形成预定器件，在器件层和半导体衬底之间具有牺牲层；在支撑衬底接合在器件层的侧面的同时，通过蚀刻移除牺牲层以分离半导体衬底和器件层，其中在移除牺牲层的步骤中，在牺牲层移除之前形成从器件层延伸到牺牲层的凹槽，以及使用蚀刻溶液经由凹槽渗透到牺牲层。