公开(公告)号：CN101467314B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780021136.9

申请日：2007-06-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 前田修 ,  汐先政贵 ,  山口典彦 ,  山内义则

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明提供一种面发光型半导体激光管，其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20)，所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30)，该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。

公开(公告)号：CN101740434B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200910226485.5

申请日：2009-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  池田昌夫

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/34 ,  G01N21/63

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/6489

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法。对氧化物半导体层的非破坏性测试方法包括如下步骤：向要测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；以及基于测量结果，估计目标氧化物半导体层的膜特性。

公开(公告)号：CN102163803B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201110069915.4

申请日：2007-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 增井勇志 ,  荒木田孝博 ,  山内义则 ,  菊地加代子 ,  幸田伦太郎 ,  山口典彦 ,  大木智之

IPC: H01S5/183 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01S5/18347 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。

公开(公告)号：CN102163803A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110069915.4

申请日：2007-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 增井勇志 ,  荒木田孝博 ,  山内义则 ,  菊地加代子 ,  幸田伦太郎 ,  山口典彦 ,  大木智之

IPC: H01S5/183 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01S5/18347 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。

公开(公告)号：CN101740434A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226485.5

申请日：2009-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  池田昌夫

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/20 ,  H01L21/34 ,  G01N21/63

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/6489

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体层的非破坏性测试方法和制造方法。对氧化物半导体层的非破坏性测试方法包括如下步骤：向要测试的非晶或多晶目标氧化物半导体层施加激发光，并且测量从目标氧化物半导体层发射的光之中、比对应于带隙能的波长长的波长范围内的光致发光的强度；以及基于测量结果，估计目标氧化物半导体层的膜特性。

公开(公告)号：CN101467314A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021136.9

申请日：2007-06-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 前田修 ,  汐先政贵 ,  山口典彦 ,  山内义则

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/423

Abstract: 提供一种面发光型半导体激光管，其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20)，所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30)，该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。

公开(公告)号：CN101127434A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710182107.2

申请日：2007-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 增井勇志 ,  荒木田孝博 ,  山内义则 ,  菊地加代子 ,  幸田伦太郎 ,  山口典彦 ,  大木智之

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。