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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1146020C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN99801049.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76248 , H01L21/02422 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 在其上形成台阶(4)的作为籽晶的绝缘衬底(1)上淀积单晶硅，形成硅外延层(7)。在低温甚至在具有相对低应变点的大玻璃衬底上均匀生长硅外延层(7)，使它可能在其上制造大电流密度的高速半导体元件。
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公开(公告)号：CN101231671A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008558.9
申请日：2008-01-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 矢木肇
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06T19/00 , G06T2219/2012
Abstract: 公开了一种数值模拟结果显示程序、方法和系统。该数值模拟结果显示系统包括：图像输出设备；三维CAD模型数据输入单元，被配置为读取要分析的对象的三维CAD模型数据；CAD模型数据转换单元，被配置为将所读取的三维CAD模型数据转换为能在图像输出设备上显示的CAD图形数据；数值模拟结果数值输入单元，被配置为读取对象的数值模拟结果数据；模拟结果转换单元，被配置为将所读取的数值模拟结果数据转换为能在图像输出设备上显示的模拟结果图形数据；以及显示单元，被配置为以叠合方式在图像输出设备上显示CAD图形数据和模拟结果图形数据。
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公开(公告)号：CN1625312A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410104768.X
申请日：2004-12-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/12 , H01L27/3211 , H01L51/0011
Abstract: 本发明公开了淀积掩模及其制造方法，其通孔的定位精度提高且可精确地进行淀积。由金属薄膜制成的掩模体得以固定且紧紧地装配在具有开口的框架体上。掩模体具有：包括用于使淀积材料穿过的多个通孔的至少一个图形区，包括设置在图形区周边的多个细孔的应力松弛区，和设置在应力松弛区周边的支撑区。掩模体紧紧地装配在框架体上的支撑区处。
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公开(公告)号：CN100421283C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200410104768.X
申请日：2004-12-02
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/12 , H01L27/3211 , H01L51/0011
Abstract: 本发明公开了淀积掩模及其制造方法，其通孔的定位精度提高且可精确地进行淀积。由金属薄膜制成的掩模体得以固定且紧紧地装配在具有开口的框架体上。掩模体具有：包括用于使淀积材料穿过的多个通孔的至少一个图形区，包括设置在图形区周边的多个细孔的应力松弛区，和设置在应力松弛区周边的支撑区。掩模体在支撑区处紧紧地装配在框架体上，其中应力松弛区的面积自图形区侧朝向支撑区侧变得较窄。
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公开(公告)号：CN1273693A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN99801049.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76248 , H01L21/02422 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 在其上形成台阶(4)的作为籽晶的绝缘衬底(1)上淀积单晶硅,形成硅外延层(7)。在低温甚至在其有相对低应变点的大玻璃衬底上均匀生长硅外延层(7),使它可能在其上制造大电流密度的高速半导体元件。
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