公开(公告)号：CN1146020C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN99801049.9

申请日：1999-06-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 矢元久良 ,  山中英雄 ,  佐藤勇一 ,  矢木肇

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76248 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 在其上形成台阶(4)的作为籽晶的绝缘衬底(1)上淀积单晶硅，形成硅外延层(7)。在低温甚至在具有相对低应变点的大玻璃衬底上均匀生长硅外延层(7)，使它可能在其上制造大电流密度的高速半导体元件。

公开(公告)号：CN1273693A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN99801049.9

申请日：1999-06-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 矢元久良 ,  山中英雄 ,  佐藤勇一 ,  矢木肇

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76248 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 在其上形成台阶(4)的作为籽晶的绝缘衬底(1)上淀积单晶硅,形成硅外延层(7)。在低温甚至在其有相对低应变点的大玻璃衬底上均匀生长硅外延层(7),使它可能在其上制造大电流密度的高速半导体元件。