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公开(公告)号：CN1764246A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510124964.8
申请日：2005-10-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供了一种具有单位象素的阵列的固态成像装置，每个单位象素包括光电转换元件和用于放大对应于由通过光电转换元件的光电转换获得的电荷的信号并输出所得到信号的放大晶体管。放大晶体管包括埋入沟道MOS晶体管。根据本发明，1/f噪声基本上可以被减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752396B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910253424.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2224/05 , Y10S148/07
Abstract: 本发明提供了固态成像器件及其制造方法、电子设备、以及半导体器件。固态成像器件包括：光电二极管，其针对像素区域中的每个像素分隔形成，其中，多个像素被集成在半导体衬底的光接收表面上；绝缘膜，其形成在半导体衬底上，以覆盖光电二极管；凹部，其针对每个像素形成在光电二极管的上部中的绝缘膜中；硅氧烷树脂的第一光透射层，其在像素区域中被形成为填充凹部并构造光学波导；第二光透射层，其在像素区域中被形成为针对每个像素构造片上透镜；以及保护环，其被形成为围绕像素区域的外周，以将外划片区域和包含像素区域的内区域分隔。
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公开(公告)号：CN100579183C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200510124964.8
申请日：2005-10-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供了一种具有单位象素的阵列的固态成像装置，每个单位象素包括光电转换元件和用于放大对应于由通过光电转换元件的光电转换获得的电荷的信号并输出所得到信号的放大晶体管。放大晶体管包括埋入沟道MOS晶体管。根据本发明，1/f噪声基本上可以被减小。
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公开(公告)号：CN100399573C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510118159.4
申请日：2005-10-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L2924/0002 , H04N5/2257 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体图像传感器模块及其制备方法，以及相机及其制备方法。半导体图像传感器模块(1)至少包括：半导体图像传感器芯片(2)，具有在半导体衬底第一主表面上形成的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片(3)，在其中对在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，多个凸点电极(15a)形成在第一主表面上，多个凸点电极(15b)形成在图像信号处理芯片(3)上，芯片(2，3)通过散热装置(4)而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片(2)的多个凸点电极(15a)和在图像信号处理芯片(3)上的多个凸点电极(15b)是电连接的。
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公开(公告)号：CN101752396A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253424.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/78 , H01L23/28 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2224/05 , Y10S148/07
Abstract: 本发明提供了固态成像器件及其制造方法、电子设备、以及半导体器件。固态成像器件包括：光电二极管，其针对像素区域中的每个像素分隔形成，其中，多个像素被集成在半导体衬底的光接收表面上；绝缘膜，其形成在半导体衬底上，以覆盖光电二极管；凹部，其针对每个像素形成在光电二极管的上部中的绝缘膜中；硅氧烷树脂的第一光透射层，其在像素区域中被形成为填充凹部并构造光学波导；第二光透射层，其在像素区域中被形成为针对每个像素构造片上透镜；以及保护环，其被形成为围绕像素区域的外周，以将外划片区域和包含像素区域的内区域分隔。
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公开(公告)号：CN1767600A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510118159.4
申请日：2005-10-26
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L2924/0002 , H04N5/2257 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体图像传感器模块及其制备方法，以及相机及其制备方法。半导体图像传感器模块(1)至少包括：半导体图像传感器芯片(2)，具有在半导体衬底第一主表面上形成的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片(3)，在其中对在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，多个凸点电极(15a)形成在第一主表面上，多个凸点电极(15b)形成在图像信号处理芯片(3)上，芯片(2，3)通过散热装置(4)而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片(2)的多个凸点电极(15a)和在图像信号处理芯片(3)上的多个凸点电极(15b)是电连接的。
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