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公开(公告)号:CN101752396B
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN200910253424.8
申请日:2009-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2224/05 , Y10S148/07
Abstract: 本发明提供了固态成像器件及其制造方法、电子设备、以及半导体器件。固态成像器件包括:光电二极管,其针对像素区域中的每个像素分隔形成,其中,多个像素被集成在半导体衬底的光接收表面上;绝缘膜,其形成在半导体衬底上,以覆盖光电二极管;凹部,其针对每个像素形成在光电二极管的上部中的绝缘膜中;硅氧烷树脂的第一光透射层,其在像素区域中被形成为填充凹部并构造光学波导;第二光透射层,其在像素区域中被形成为针对每个像素构造片上透镜;以及保护环,其被形成为围绕像素区域的外周,以将外划片区域和包含像素区域的内区域分隔。
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公开(公告)号:CN101752396A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910253424.8
申请日:2009-12-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/78 , H01L23/28 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2224/05 , Y10S148/07
Abstract: 本发明提供了固态成像器件及其制造方法、电子设备、以及半导体器件。固态成像器件包括:光电二极管,其针对像素区域中的每个像素分隔形成,其中,多个像素被集成在半导体衬底的光接收表面上;绝缘膜,其形成在半导体衬底上,以覆盖光电二极管;凹部,其针对每个像素形成在光电二极管的上部中的绝缘膜中;硅氧烷树脂的第一光透射层,其在像素区域中被形成为填充凹部并构造光学波导;第二光透射层,其在像素区域中被形成为针对每个像素构造片上透镜;以及保护环,其被形成为围绕像素区域的外周,以将外划片区域和包含像素区域的内区域分隔。
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