公开(公告)号：CN100399573C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510118159.4

申请日：2005-10-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 吉原郁夫 ,  山中昌充

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0203

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/024 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体图像传感器模块及其制备方法，以及相机及其制备方法。半导体图像传感器模块(1)至少包括：半导体图像传感器芯片(2)，具有在半导体衬底第一主表面上形成的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片(3)，在其中对在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，多个凸点电极(15a)形成在第一主表面上，多个凸点电极(15b)形成在图像信号处理芯片(3)上，芯片(2，3)通过散热装置(4)而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片(2)的多个凸点电极(15a)和在图像信号处理芯片(3)上的多个凸点电极(15b)是电连接的。

公开(公告)号：CN1767600A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510118159.4

申请日：2005-10-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 吉原郁夫 ,  山中昌充

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/024 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体图像传感器模块及其制备方法，以及相机及其制备方法。半导体图像传感器模块(1)至少包括：半导体图像传感器芯片(2)，具有在半导体衬底第一主表面上形成的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片(3)，在其中对在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，多个凸点电极(15a)形成在第一主表面上，多个凸点电极(15b)形成在图像信号处理芯片(3)上，芯片(2，3)通过散热装置(4)而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片(2)的多个凸点电极(15a)和在图像信号处理芯片(3)上的多个凸点电极(15b)是电连接的。