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公开(公告)号：CN119069495A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411069531.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76 , H04N25/778 , H04N25/17 , H04N25/79
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN112424939B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN112640108A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/369
Abstract: 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN112424939A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN119092520A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411071073.X
申请日：2019-06-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H10K39/38 , H10K71/00 , H04N25/70
Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112385042B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980045788.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10K39/32 , H01L21/3205 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/779 , H04N25/79
Abstract: 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。
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公开(公告)号：CN112640108B9
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/74 , H01L23/48 , H04N25/76
Abstract: 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN112640108B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/74 , H01L23/48 , H04N25/76
Abstract: 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN112088430B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980029961.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H10K39/38 , H04N25/70
Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
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公开(公告)号：CN112088430A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980029961.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369
Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。
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