公开(公告)号：CN101253605A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031456.8

申请日：2006-09-05

Applicant: 索尼公司 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  山田健二 ,  东友之 ,  村田裕史

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/906

Abstract: 提供洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，该洗涤方法为除去基体表面上附着的金属化合物的洗涤方法，其特征在于，该方法包括对上述基体表面供给含有三烯丙基胺和三(3－氨丙基)胺中的至少一种的超临界二氧化碳流体并进行洗涤。对于构成导电层的导电材料，通过本发明的洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，可以有选择性地、高效地除去含有金属化合物的蚀刻残渣或研磨残渣。从而，导电层为配线时，可以防止因金属化合物的残留引起的配线的高电阻化的同时，防止因金属从金属化合物扩散到绝缘膜上引起的漏电流的增加。因此，可以提高配线可靠性，并且可以提高半导体装置的成品率。

公开(公告)号：CN1649084A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410104615.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  渡边广也 ,  东友之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C2201/117

Abstract: 通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。

公开(公告)号：CN100355016C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410104615.5

申请日：2004-12-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  渡边广也 ,  东友之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C2201/117

Abstract: 通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。

公开(公告)号：CN1571122A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410033070.3

申请日：2004-02-19

Applicant: 索尼株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  渡边广也 ,  东友之

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/67034

Abstract: 公开了一种使用超临界流体清洗具有微细结构的衬底的简单和可靠的方法。首先，衬底放置于处理室后密闭处理室。当压力/温度控制装置调节压力和温度时，气态二氧化碳从供应源引入处理室，且通过调整压力和温度引起相变以直接转变成超临界二氧化碳。其次，从供应源添加预定量叔胺化合物。提供超临界二氧化碳直到排出阀开启和处理室内部完全替换为超临界二氧化碳。将衬底浸入超临界二氧化碳预定时间进行清洗工序以除去粘附于衬底的外来物。此后，停止供应叔胺化合物和仅提供超临界二氧化碳在衬底上执行漂洗工序。最后，停止供应二氧化碳，排出超临界二氧化碳，使处理室内部温度和压力下降导致处理室内部的二氧化碳气化和衬底被超临界干燥。

公开(公告)号：CN108886022B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201780019005.0

申请日：2017-03-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 伊藤琢哉 ,  嵯峨幸一郎

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H01L29/82

Abstract: [问题]为了提高存储元件的元件可靠性。[解决方案]提供了一种存储元件，其通过在基板上排列各自具有MTJ结构的多个磁阻元件而构成，其中，在每个磁阻元件中，在用作存储层的磁体层中的除了用作磁阻元件的区域之外的区域中存在去磁区域，并且该去磁区域包括合金，该合金包括：形成磁体层的第一化学元素；以及第二化学元素，其当与第一化学元素一起形成合金时具有fcc结构。

公开(公告)号：CN1082246C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96107213.X

申请日：1996-03-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  小谷田作夫 ,  服部毅

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08

Abstract: 一种清洁处理基片表面的方法，其中，清洁处理基片工艺的包括利用酸溶液、氧化溶液、或碱溶液清洁处理基片表面的步骤的第1步骤，包括清除在基片表面上形成的自然氧化膜的步骤。

公开(公告)号：CN1144399A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN96107213.X

申请日：1996-03-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 嵯峨幸一郎 ,  小谷田作夫 ,  服部毅

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08

Abstract: 一种清洁处理基片表面的方法，其中，清洁处理基片工艺的包括利用酸溶液、氧化溶液、或碱溶液清洁处理基片表面的步骤的第1步骤，包括清除在基片表面上形成的自然氧化膜的步骤。

公开(公告)号：CN108886022A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019005.0

申请日：2017-03-06

Applicant: 索尼公司

Inventor： 伊藤琢哉 ,  嵯峨幸一郎

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: [问题]为了提高存储元件的元件可靠性。[解决方案]提供了一种存储元件，其通过在基板上排列各自具有MTJ结构的多个磁阻元件而构成，其中，在每个磁阻元件中，在用作存储层的磁体层中的除了用作磁阻元件的区域之外的区域中存在去磁区域，并且该去磁区域包括合金，该合金包括：形成磁体层的第一化学元素；以及第二化学元素，其当与第一化学元素一起形成合金时具有fcc结构。

公开(公告)号：CN104009060A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410058610.7

申请日：2014-02-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 坂入卓 ,  萩本贤哉 ,  岩元勇人 ,  嵯峨幸一郎 ,  藤井宣年

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/046 ,  G09G2360/142 ,  G09G2360/148 ,  Y10T29/49

Abstract: 本发明涉及显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备。一种显示器包括：发光部，设置在显示区域内；以及受光部，设置在显示区域内并且被配置为接收来自所述发光部的光。