存储元件和存储元件的制造方法

    公开(公告)号:CN108886022B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN201780019005.0

    申请日:2017-03-06

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: [问题]为了提高存储元件的元件可靠性。[解决方案]提供了一种存储元件,其通过在基板上排列各自具有MTJ结构的多个磁阻元件而构成,其中,在每个磁阻元件中,在用作存储层的磁体层中的除了用作磁阻元件的区域之外的区域中存在去磁区域,并且该去磁区域包括合金,该合金包括:形成磁体层的第一化学元素;以及第二化学元素,其当与第一化学元素一起形成合金时具有fcc结构。

    洗涤方法以及半导体装置的制备方法

    公开(公告)号:CN101253605A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200680031456.8

    申请日:2006-09-05

    Abstract: 提供洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法,该洗涤方法为除去基体表面上附着的金属化合物的洗涤方法,其特征在于,该方法包括对上述基体表面供给含有三烯丙基胺和三(3-氨丙基)胺中的至少一种的超临界二氧化碳流体并进行洗涤。对于构成导电层的导电材料,通过本发明的洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法,可以有选择性地、高效地除去含有金属化合物的蚀刻残渣或研磨残渣。从而,导电层为配线时,可以防止因金属化合物的残留引起的配线的高电阻化的同时,防止因金属从金属化合物扩散到绝缘膜上引起的漏电流的增加。因此,可以提高配线可靠性,并且可以提高半导体装置的成品率。

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