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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811518A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310536129.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0046 , H01L27/307 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
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公开(公告)号：CN108886022B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780019005.0
申请日：2017-03-06
Applicant: 索尼公司
Abstract: [问题]为了提高存储元件的元件可靠性。[解决方案]提供了一种存储元件，其通过在基板上排列各自具有MTJ结构的多个磁阻元件而构成，其中，在每个磁阻元件中，在用作存储层的磁体层中的除了用作磁阻元件的区域之外的区域中存在去磁区域，并且该去磁区域包括合金，该合金包括：形成磁体层的第一化学元素；以及第二化学元素，其当与第一化学元素一起形成合金时具有fcc结构。
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公开(公告)号：CN103811518B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310536129.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0046 , H01L27/307 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
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公开(公告)号：CN108886022A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019005.0
申请日：2017-03-06
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC classification number: H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: [问题]为了提高存储元件的元件可靠性。[解决方案]提供了一种存储元件，其通过在基板上排列各自具有MTJ结构的多个磁阻元件而构成，其中，在每个磁阻元件中，在用作存储层的磁体层中的除了用作磁阻元件的区域之外的区域中存在去磁区域，并且该去磁区域包括合金，该合金包括：形成磁体层的第一化学元素；以及第二化学元素，其当与第一化学元素一起形成合金时具有fcc结构。
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公开(公告)号：CN204720453U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201320686912.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0046 , H01L27/307 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本实用新型涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有：光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
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