公开(公告)号：CN102171833A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139033.1

申请日：2009-10-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸泽成浩 ,  寺井康浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制氧等从氧化物半导体层解吸附并减少成膜所花费的时间的薄膜晶体管和设置有该薄膜晶体管的显示器件。栅极绝缘膜22、沟道保护层24和钝化膜26中的每一个是层积结构，该层积结构包括由氧化铝制成的第一层31和由包含硅(Si)的绝缘材料制成的第二层32。第一层31和第二层32优选地设置为彼此层叠，使得第一层31出现在氧化物半导体层23侧。氧化物半导体层23在两侧被由氧化铝制成的第一层31夹在中间，从而抑制氧等的解吸附，并使TFT 20的电特性稳定。此外，由于第二层32由含有硅(Si)的绝缘材料制成，与由氧化铝制成的单层相比，能够减少成膜所花费的时间。

公开(公告)号：CN104078510A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410105909.3

申请日：2014-03-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  石井孝英 ,  佐藤步

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明涉及半导体器件，显示单元和电子设备。本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：晶体管；氧化物半导体膜；电连接至氧化物半导体膜的第一导电膜；以及设置在第一导电膜和氧化物半导体膜之间的第一绝缘膜。

公开(公告)号：CN103219388A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310011841.8

申请日：2013-01-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大岛宜浩 ,  藤森隆成 ,  广升泰信 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了抑制光影响并具有稳定特征的薄膜晶体管、其制造方法、显示单元及电子装置。所述薄膜晶体管包括：栅电极；具有面向所述栅电极的沟道区的氧化物半导体膜；以及至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物（AlXOY，其中0

公开(公告)号：CN101826557B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010125208.8

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  宫下宽子 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置，其能够抑制铝扩散到氧化物半导体中，并选择性地刻蚀氧化物半导体和氧化铝。薄膜晶体管包括：栅极电极；沟道层，其主要成分是氧化物半导体；栅极绝缘膜，其设置在栅极电极和沟道层之间；密封层，其设置在沟道层的与栅极电极相对的一侧上；以及一对电极，其与沟道层接触并用作源极和漏极。密封层至少包括：第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成；以及第二绝缘膜，其由具有对氧化物半导体和第一绝缘材料每一者的刻蚀选择性的第二绝缘材料制成，并且设置在第一绝缘膜和沟道层之间。

公开(公告)号：CN102683383A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210032961.1

申请日：2012-02-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明公开了一种显示装置和包括所述显示装置的电子设备。所述显示装置包括薄膜晶体管和布线层。所述薄膜晶体管包括：半导体层；栅极电极，其布置成与所述半导体层相对，所述栅极电极的厚度与所述布线层的厚度不同；以及位于所述半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘膜。本发明能够在保持布线层的低电阻的同时防止薄膜晶体管的界面处的膜脱落，从而获得稳定的电特性。

公开(公告)号：CN102214698A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110082455.9

申请日：2011-04-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 福本绘理 ,  寺井康浩 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、显示装置以及电子单元，该薄膜晶体管使用用于沟道的氧化物半导体，其可以被控制为使得阈值电压为正并且可以改善可靠性。该薄膜晶体管包括：栅电极；一对源电极/漏电极；氧化物半导体层，形成沟道并设置在栅电极和一对源电极/漏电极之间；作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近栅电极的一侧；以及第二绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近一对源电极/漏电极的一侧，其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜中的一个或两个包含膜密度为2.70g/cm3以上且小于2.79g/cm3的氧化铝。

公开(公告)号：CN102157558A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030133.X

申请日：2011-01-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  福本绘理 ,  荒井俊明 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/12 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置。该薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘膜以及半导体氧化物膜，其中，栅电极的至少一部分包括金属氧化物。除了制造方法以外，还提供了包括该薄膜晶体管的电子装置和显示装置。

公开(公告)号：CN102082180A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010553213.9

申请日：2010-11-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  福本绘理 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管、显示装置以及电子装置。该薄膜晶体管使用氧化物半导体作为沟道，将阈值电压朝正方向控制，并且提高了可靠性。该薄膜晶体管包括：栅极电极；一对源极/漏极电极；设于所述栅极电极与所述一对源极/漏极电极之间并形成沟道的氧化物半导体层；作为栅极绝缘膜且设于所述氧化物半导体层的所述栅极电极侧的第一绝缘膜；以及设于所述氧化物半导体层的所述一对源极/漏极电极侧的第二绝缘膜。所述第一绝缘膜和/或所述第二绝缘膜含有氟(F)。由于在含有氟的绝缘膜中产生了负的固定电荷，从而使阈值电压朝正方向漂移。即使由于氧化物半导体层中氧的解吸而出现晶格缺陷，该缺陷也被氟弥补，因此氧化物半导体的电特性保持稳定。

公开(公告)号：CN103035737A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210371777.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供了一种显示装置、其制造方法和电子单元。所述显示装置包括：薄膜晶体管；和布线层；所述薄膜晶体管包括控制电极，面对所述控制电极的半导体层，由透光材料制成且电连接至所述半导体层的第一电极，以及包括电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜的第二电极，所述第二电极电连接至所述半导体层和所述布线层中的每一个，其中构成所述金属膜的材料和构成所述布线层的一部分或全部的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料和所述导电材料之间的离子化倾向之差。

公开(公告)号：CN101826557A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010125208.8

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山口典彦 ,  谷口理 ,  宫下宽子 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置，其能够抑制铝扩散到氧化物半导体中，并选择性地刻蚀氧化物半导体和氧化铝。薄膜晶体管包括：栅极电极；沟道层，其主要成分是氧化物半导体；栅极绝缘膜，其设置在栅极电极和沟道层之间；密封层，其设置在沟道层的与栅极电极相对的一侧上；以及一对电极，其与沟道层接触并用作源极和漏极。密封层至少包括：第一绝缘膜，其由第一绝缘材料制成；以及第二绝缘膜，其由具有对氧化物半导体和第一绝缘材料每一者的刻蚀选择性的第二绝缘材料制成，并且设置在第一绝缘膜和沟道层之间。