公开(公告)号：CN102208452B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110067996.4

申请日：2011-03-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  大岛宜浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置。该薄膜晶体管包括氧化物半导体层，氧化物半导体层包括源区、漏区以及沟道区，其中，源区和漏区的部分具有比沟道区低的氧浓度。还提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，该氧化物半导体层包括源区、漏区以及沟道区，其中，源区和漏区的部分包括掺杂物，该掺杂物选自由铝、硼、镓、铟、钛、硅、锗、锡、铅及其组合物组成的组。

公开(公告)号：CN101800248B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010104366.5

申请日：2010-02-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 荒井俊明 ,  诸沢成浩 ,  德永和彦 ,  佐川裕志 ,  三浦究

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明公开了易于向氧化物半导体层供氧并能够恢复优良的晶体管特性的薄膜晶体管，并公开了包括上述薄膜晶体管的显示器件。所述薄膜晶体管包括在基板上依次设置的栅极电极、栅极绝缘膜、设有沟道区域的氧化物半导体层以及覆盖着所述沟道区域的沟道保护层。在位于所述沟道保护层两侧的所述氧化物半导体层上形成有源极电极和漏极电极，并且所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者具有使所述氧化物半导体层露出的开口部。本发明的薄膜晶体管易于从开口部向氧化物半导体层供氧，并且能够恢复优良的晶体管特性。包含该薄膜晶体管的显示器件由于抑制了薄膜晶体管的氧化物半导体层的低阻抗性，因而能够抑制漏电流，并且能够以高亮度进行光显示。

公开(公告)号：CN102315277A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110179622.1

申请日：2011-06-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管以及一种包括该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括：栅极；氧化物半导体膜，其具有面向栅极的沟道区，并且具有在沟道区的一侧的源极区和在沟道区的另一侧的漏极区；层间绝缘膜，其设置为与氧化物半导体膜接触，且具有连接孔，并且包括有机树脂膜；以及源极和漏极，它们分别经由连接孔而连接于源极区和漏极区。本发明的薄膜晶体管可抑制由层间绝缘膜引起的故障并提高自对准结构的可靠性。

公开(公告)号：CN102738405A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210080135.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明涉及显示装置和电子设备，其中，该显示装置包括：基板；显示元件；晶体管，作为显示元件的驱动元件；以及电容保持元件，保持对应于视频信号的电荷，并且以靠近基板的顺序包括第一导电膜、包含氧化物半导体的第一半导体层、绝缘膜以及第二导电膜。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。

公开(公告)号：CN102738145A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210078676.3

申请日：2012-03-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/94 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明涉及显示装置和电子设备，其中，该显示装置其包括：基板、显示元件、作为显示元件的驱动元件的晶体管、以及保持对应于视频信号的电荷的电容保持元件。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。该电容保持元件包括：包含氧化物半导体的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第一导电膜、设置在第一半导体层与第一导电膜之间的第一绝缘膜、以及通过在第一半导体层上的选择性区域中去除第一导电膜和第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。

公开(公告)号：CN103295909A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310055821.0

申请日：2013-02-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  豊田基博

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及晶体管及其制造方法、半导体单元及其制造方法、显示器。一种制造晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体膜和栅电极，所述氧化物半导体膜具有沟道区，且所述栅电极面向所述沟道区；以及形成覆盖所述栅电极和所述氧化物半导体膜的绝缘膜。通过所述基板抑制水分从所述绝缘膜渗透进入所述氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN103178057A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210555624.0

申请日：2012-12-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明公开了一种显示器及电子单元。显示器件包括：显示元件；晶体管，其被配置为驱动显示元件，该晶体管包括沟道区；以及保持电容器。氧化物半导体膜被设置在横过晶体管和保持电容器的区域中，该氧化物半导体膜包括：第一区域，其在晶体管的沟道区中形成；以及第二区域，其具有比第一区域的电阻更低的电阻。第二区域在晶体管和保持电容器的除沟道区之外的区域中形成。

公开(公告)号：CN102208452A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110067996.4

申请日：2011-03-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  大岛宜浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置。该薄膜晶体管包括氧化物半导体层，氧化物半导体层包括源区、漏区以及沟道区，其中，源区和漏区的部分具有比沟道区低的氧浓度。还提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，该氧化物半导体层包括源区、漏区以及沟道区，其中，源区和漏区的部分包括掺杂物，该掺杂物选自由铝、硼、镓、铟、钛、硅、锗、锡、铅及其组合物组成的组。

公开(公告)号：CN102194887A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110047595.2

申请日：2011-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  藤森隆成 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置，其中，薄膜晶体管具有一致且良好的电特性，并且具有允许减少制造步骤数的简单构造。薄膜晶体管包括：栅电极；氧化物半导体膜，具有非晶膜和结晶膜的多层结构；以及源电极和漏电极，被设置为接触结晶膜。

公开(公告)号：CN101794821A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010103189.9

申请日：2010-01-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  藤森隆成

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和显示装置。该薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极；形成有对应于所述栅电极的沟道区的氧化物半导体层；第一栅绝缘膜，所述第一栅绝缘膜被形成在所述基板和所述栅电极上，且由氮化硅膜构成；第二栅绝缘膜，所述第二栅绝缘膜被选择性地形成在所述第一栅绝缘膜上对应于所述氧化物半导体层的区域内并与所述氧化物半导体层接触，并且所述第二栅绝缘膜由氧化硅膜或氧氮化硅膜构成；源漏电极；以及保护膜。所述氧化物半导体层的上表面和侧面以及所述第二栅绝缘膜的侧面在所述第一栅绝缘膜上被所述源漏电极和所述保护膜覆盖着。本发明能够抑制氧化物半导体层中晶格缺陷的形成并抑制湿气的进入，从而提高薄膜晶体管的可靠性。