公开(公告)号：CN108376697B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201810153757.2

申请日：2013-03-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 上杉昌尚 ,  山田二郎 ,  师冈光雄 ,  广升泰信

IPC: H01L27/32

Abstract: 本公开提供显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备。显示装置包括布置成二维矩阵的发光元件，其中发光元件包括设置在基板上的驱动电路、覆盖驱动电路和基板的第一绝缘层、发光部分以及第二绝缘层，在该发光部分中层叠有第一电极、具有发光层的有机层和第二电极，该第二绝缘层覆盖第一电极。

公开(公告)号：CN103367390A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310089632.5

申请日：2013-03-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 上杉昌尚 ,  山田二郎 ,  师冈光雄 ,  广升泰信

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5228 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明提供显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备。显示装置包括布置成二维矩阵的发光元件，其中发光元件包括设置在基板上的驱动电路、覆盖驱动电路和基板的第一绝缘层、发光部分以及第二绝缘层，在该发光部分中层叠有第一电极、具有发光层的有机层和第二电极，该第二绝缘层覆盖第一电极。

公开(公告)号：CN103367390B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201310089632.5

申请日：2013-03-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 上杉昌尚 ,  山田二郎 ,  师冈光雄 ,  广升泰信

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5228 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/568

Abstract: 本公开提供显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备。显示装置包括布置成二维矩阵的发光元件，其中发光元件包括设置在基板上的驱动电路、覆盖驱动电路和基板的第一绝缘层、发光部分以及第二绝缘层，在该发光部分中层叠有第一电极、具有发光层的有机层和第二电极，该第二绝缘层覆盖第一电极。

公开(公告)号：CN108376697A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810153757.2

申请日：2013-03-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 上杉昌尚 ,  山田二郎 ,  师冈光雄 ,  广升泰信

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5228 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/568

Abstract: 本公开提供显示装置及其制造方法、修理显示装置的方法及电子设备。显示装置包括布置成二维矩阵的发光元件，其中发光元件包括设置在基板上的驱动电路、覆盖驱动电路和基板的第一绝缘层、发光部分以及第二绝缘层，在该发光部分中层叠有第一电极、具有发光层的有机层和第二电极，该第二绝缘层覆盖第一电极。

公开(公告)号：CN103219388A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310011841.8

申请日：2013-01-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大岛宜浩 ,  藤森隆成 ,  广升泰信 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了抑制光影响并具有稳定特征的薄膜晶体管、其制造方法、显示单元及电子装置。所述薄膜晶体管包括：栅电极；具有面向所述栅电极的沟道区的氧化物半导体膜；以及至少覆盖所述沟道区并含有吸收光的铝低价氧化物（AlXOY，其中0

公开(公告)号：CN102694005A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210075788.3

申请日：2012-03-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 师冈光雄 ,  广升泰信

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法、和具有该显示装置的电子设备。本发明公开了显示装置，其包括：半导体层、栅极、源/漏极层和有机电场发光元件。半导体层设置在衬底上并且由氧化物半导体制成。栅极设置在半导体层的选择性第一区域上方，栅极绝缘膜夹在栅极和半导体层之间。源/漏极层适于用作源极或漏极，并且源/漏极层电连接到半导体层的第二区域，第二区域在半导体层的第一区域附近。此外，有机电场发光元件设置在半导体层的第三区域上方，第三区域不同于半导体层的第一区域和第二区域，有机电场发光元件具有用于第三区域的被驱动作为像素电极的区域。