公开(公告)号：CN102290442A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110156387.6

申请日：2011-06-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  福本绘理 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管和显示装置，其中该薄膜晶体管包括：栅电极、源电极、漏电极、形成在栅电极上的氧化物半导体有源层、形成在氧化物半导体有源层的一部分上的固定电荷蓄积层、形成在固定电荷蓄积层上的固定电荷控制电极。

公开(公告)号：CN101859043B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201010155498.0

申请日：2010-04-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 井上雄一 ,  福本绘理 ,  鎌田豪 ,  小川涼 ,  中畑佑治

IPC: G02F1/1335 ,  G02B27/26

CPC classification number: G02F1/1313 ,  G02B27/26 ,  G02F1/133528

Abstract: 本发明涉及液晶快门和图像显示观察系统。液晶快门包括：沿光入射方向配置的多个液晶层；和多个偏振器，安装至所述多个液晶层中的每一个，隔着液晶层彼此相邻的两个偏振器的偏振轴以90°角交叉，偏振轴处于第一方向的偏振器的偏振度的累积值等于偏振轴处于第二方向的偏振器的偏振度的累积值，所述第二方向以90°角与所述第一方向交叉。

公开(公告)号：CN101859043A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010155498.0

申请日：2010-04-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 井上雄一 ,  福本绘理 ,  鎌田豪 ,  小川涼 ,  中畑佑治

IPC: G02F1/1335 ,  G02B27/26

CPC classification number: G02F1/1313 ,  G02B27/26 ,  G02F1/133528

Abstract: 本发明涉及液晶快门和图像显示观察系统。液晶快门包括：沿光入射方向配置的多个液晶层；和多个偏振器，安装至所述多个液晶层中的每一个，隔着液晶层彼此相邻的两个偏振器的偏振轴以90°角交叉，偏振轴处于第一方向的偏振器的偏振度的累积值等于偏振轴处于第二方向的偏振器的偏振度的累积值，所述第二方向以90°角与所述第一方向交叉。

公开(公告)号：CN102214698A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110082455.9

申请日：2011-04-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 福本绘理 ,  寺井康浩 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、显示装置以及电子单元，该薄膜晶体管使用用于沟道的氧化物半导体，其可以被控制为使得阈值电压为正并且可以改善可靠性。该薄膜晶体管包括：栅电极；一对源电极/漏电极；氧化物半导体层，形成沟道并设置在栅电极和一对源电极/漏电极之间；作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近栅电极的一侧；以及第二绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近一对源电极/漏电极的一侧，其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜中的一个或两个包含膜密度为2.70g/cm3以上且小于2.79g/cm3的氧化铝。

公开(公告)号：CN102157558A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030133.X

申请日：2011-01-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 寺井康浩 ,  福本绘理 ,  荒井俊明 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/12 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置。该薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘膜以及半导体氧化物膜，其中，栅电极的至少一部分包括金属氧化物。除了制造方法以外，还提供了包括该薄膜晶体管的电子装置和显示装置。

公开(公告)号：CN102082180A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010553213.9

申请日：2010-11-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 诸沢成浩 ,  福本绘理 ,  寺井康浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管、显示装置以及电子装置。该薄膜晶体管使用氧化物半导体作为沟道，将阈值电压朝正方向控制，并且提高了可靠性。该薄膜晶体管包括：栅极电极；一对源极/漏极电极；设于所述栅极电极与所述一对源极/漏极电极之间并形成沟道的氧化物半导体层；作为栅极绝缘膜且设于所述氧化物半导体层的所述栅极电极侧的第一绝缘膜；以及设于所述氧化物半导体层的所述一对源极/漏极电极侧的第二绝缘膜。所述第一绝缘膜和/或所述第二绝缘膜含有氟(F)。由于在含有氟的绝缘膜中产生了负的固定电荷，从而使阈值电压朝正方向漂移。即使由于氧化物半导体层中氧的解吸而出现晶格缺陷，该缺陷也被氟弥补，因此氧化物半导体的电特性保持稳定。