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公开(公告)号：CN100539228C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610160693.6
申请日：2006-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在基体上形成有包括铌酸钾钠的压电体层的压电层压体。压电层压体(100)包括基体(1)和形成于所述基体(1)的上方的、包括铌酸钾钠的第一压电体层(3)。所述第一压电体层(3)以组成式(KaNa1-a)xNbO3表示，在该组成式中，0.1＜a＜1，1≤x≤1.2。
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公开(公告)号：CN100509404C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN03122626.4
申请日：2003-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , H01L41/317
Abstract: 本发明提供压电体元件制造方法，工艺简单，能够提供成本低的压电体元件，该方法包括将含有金属微粒子的液体(2)由喷墨头(101)直接在压电体层(40)上进行图形涂布，然后热处理将液体(2)转变为金属膜。
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公开(公告)号：CN1451543A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03122626.4
申请日：2003-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , H01L41/317
Abstract: 本发明提供压电体元件制造方法，工艺简单，能够提供成本低的压电体元件，该方法包括将含有金属微粒子的液体2由喷墨头101直接在压电体层40上进行图形涂布，然后热处理将液体2转变为金属膜。
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公开(公告)号：CN101059527A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096908.7
申请日：2007-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G01C19/5621
Abstract: 本发明提供以极小型、可获得如数十kHz频段的共振频率的角速度传感器，包括：SOI基板，具有基板、形成于该基板上方的氧化物层、形成于该氧化物层上方的半导体层；音叉式振动部，通过加工半导体层和氧化物层而形成，包括半导体层；生成振动部的弯曲振动的驱动部；及检测施加在振动部的角速度的检测部。振动部具有支撑部、及将支撑部作为基端而形成为悬臂梁状的两根梁部；驱动部分别形成于两个梁部的上方、且各为一对，各驱动部具有第一电极层、形成于该第一电极层上方的压电体层、形成于该压电体层上方的第二电极层；检测部分别形成于两个梁部的上方、且各为一个，各检测部被配置在上述一对驱动部、一对驱动部之间，并具有第一电极层、形成于该第一电极层上方的压电体层、形成于该压电体层上方的第二电极层。
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公开(公告)号：CN1579025A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801388.6
申请日：2003-05-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/083 , B41J2/045 , B41J2/055
CPC classification number: H01L41/0973 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/047 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明公开了一种压电致动器，具有在将(100)取向的钌酸锶用作下部电极时最合适的层结构。该压电致动器包括：振动板(30)，所述振动板(30)由在(100)－Si衬底(20)上外延生长的具有(100)取向的氧化钇稳定的氧化锆、CeO2或ZrO2构成；具有(001)取向的REBa2Cu3Ox的缓冲层(41)，所述缓冲层(41)形成在所述振动板(30)上；下部电极(42)，所述下部(42)电极形成在所述缓冲层上，且包括(100)取向的钌酸锶；压电层(43)，所述压电层(43)形成在所述下部电极(42)上，且由(100)取向的PZT构成；以及形成在所述压电层上的上部电极(44)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1446690A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107285.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14201 , B41J2202/03 , H01L27/11502 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种以最佳结构可以实现电子器件各种特性优越的电子器件用基板和具有有关电子器件用基板的电子器件、具有有关电子器件用基板的强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机。本发明的图1所示的电子器件用基板100包括：具有非晶态层15的基板11、在非晶态层15上形成至少厚度方向取向方位整齐的缓冲层12和在缓冲层12上以外延生长法形成并具有钙钛矿结构金属氧化物的导电性氧化物层13。缓冲层12最好是包含NaCl结构的金属氧化物、荧石型结构的金属氧化物中的一种的金属氧化物，并且，在立方晶体(100)取向以外延生长法生成的物质。
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公开(公告)号：CN100421275C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN03801388.6
申请日：2003-05-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/083 , B41J2/045 , B41J2/055
Abstract: 本发明公开了一种压电致动器，具有在将(100)取向的钌酸锶用作下部电极时最合适的层结构。该压电致动器包括：振动板(30)，所述振动板(30)由在(100)-Si衬底(20)上外延生长的具有(100)取向的氧化钇稳定的氧化锆、CeO2或ZrO2构成；具有(001)取向的REBa2Cu3Ox的缓冲层(41)，所述缓冲层(41)形成在所述振动板(30)上；下部电极(42)，所述下部(42)电极形成在所述缓冲层上，且包括(100)取向的钌酸锶；压电层(43)，所述压电层(43)形成在所述下部电极(42)上，且由(100)取向的PZT构成；以及形成在所述压电层上的上部电极(44)。
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公开(公告)号：CN1979908A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610160693.6
申请日：2006-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在基体上形成有包括铌酸钾钠的压电体层的压电层压体。压电层压体(100)包括基体(1)和形成于所述基体(1)的上方的、包括铌酸钾钠的第一压电体层(3)。所述第一压电体层(3)以组成式(KaNa1－a)xNbO3表示，在该组成式中，0.1＜a＜1，1≤x≤1.2。
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公开(公告)号：CN1924083A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610112283.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/493 , C04B35/497 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B35/6346 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C23C14/088 , H01L21/31691 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种可在与现有的烧结法相比温度非常低的环境下获得的绝缘性靶材。上述绝缘性靶材用于获得以通式AB1－xCxO3表示的绝缘性复合氧化膜，其中，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中的至少一种，C元素包括Nb以及Ta中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1487564A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03156519.0
申请日：2003-09-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/31691 , H01L21/32058 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO2的生成速率。
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