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公开(公告)号：CN108885407B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201780021326.4
申请日：2017-01-26
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于提供叠加校正的方法及系统。一种方法可包含：选择经配置以对晶片执行叠加建模的叠加模型；从所述叠加模型获得第一组经建模结果，所述第一组经建模结果指示适用于所述叠加模型的多个项系数的调整；计算指示所述多个项系数的有效性的有效性矩阵；基于所述经计算有效性矩阵而识别所述多个项系数当中的至少一个较低有效项系数；从所述叠加模型获得第二组经建模结果，所述第二组经建模结果指示适用于除所述经识别至少一个较低有效项系数之外的所述多个项系数的调整；及提供所述第二组经建模结果以促进叠加校正。
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公开(公告)号：CN110392920B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201880011345.3
申请日：2018-01-03
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种用于确定用于对准测量的样本图的系统包含计量工具及控制器。所述控制器定义包含多个测量位置的全取样图。所述控制器引导所述计量工具针对多个样本在所述全取样图的每一测量位置处测量对准以产生参考对准数据集，且所述控制器产生各自为所述全取样图的子集的候选取样图。所述控制器进一步可基于所述两个或多于两个候选取样图在所述全取样图的每一测量位置处依据位置估计对准，且通过比较所述估计对准与所述参考对准数据集且选择具有超过选定容限的最小数目个对准估计的所述候选取样图而确定工作取样图。
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公开(公告)号：CN110402416B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201880015473.5
申请日：2018-03-01
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 一种工艺控制系统包含控制器，所述控制器经配置以：基于样本的一或多个覆盖参考层产生参考覆盖标志；将所述参考覆盖标志外推到用于曝光所述样本的当前层的一组可校正域以产生全域参考覆盖标志；识别所述组可校正域的一或多个对准域；通过针对所述组可校正域模型化对准校正而产生对准可校正标志；当所述一或多个覆盖参考层与一或多个对准参考层相同时，从所述全域参考覆盖标志减去所述对准可校正标志以产生用于所述当前层的前馈覆盖校正；基于所述前馈覆盖校正产生光刻工具校正；及将用于所述当前层的所述光刻工具校正提供到光刻工具。
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公开(公告)号：CN110402416A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880015473.5
申请日：2018-03-01
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 一种工艺控制系统包含控制器，所述控制器经配置以：基于样本的一或多个覆盖参考层产生参考覆盖标志；将所述参考覆盖标志外推到用于曝光所述样本的当前层的一组可校正域以产生全域参考覆盖标志；识别所述组可校正域的一或多个对准域；通过针对所述组可校正域模型化对准校正而产生对准可校正标志；当所述一或多个覆盖参考层与一或多个对准参考层相同时，从所述全域参考覆盖标志减去所述对准可校正标志以产生用于所述当前层的前馈覆盖校正；基于所述前馈覆盖校正产生光刻工具校正；及将用于所述当前层的所述光刻工具校正提供到光刻工具。
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公开(公告)号：CN110312967A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880008567.X
申请日：2018-01-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种工艺控制系统，其可包含控制器，其经配置以：在当前层的光刻步骤之后，从显影后检验ADI工具接收ADI数据；在所述当前层的曝光步骤之后，从蚀刻后检验AEI工具接收AEI叠加数据；运用ADI数据及AEI叠加数据来训练非零偏移预测器，以从输入ADI数据预测非零偏移；使用ADI数据及由所述非零偏移预测器产生的非零偏移来产生光刻工具的控制参数的值；及将所述控制参数的所述值提供到用于制造至少一个生产样本上的所述当前层的所述光刻工具。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110312967B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201880008567.X
申请日：2018-01-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种工艺控制系统，其可包含控制器，其经配置以：在当前层的光刻步骤之后，从显影后检验ADI工具接收ADI数据；在所述当前层的曝光步骤之后，从蚀刻后检验AEI工具接收AEI叠加数据；运用ADI数据及AEI叠加数据来训练非零偏移预测器，以从输入ADI数据预测非零偏移；使用ADI数据及由所述非零偏移预测器产生的非零偏移来产生光刻工具的控制参数的值；及将所述控制参数的所述值提供到用于制造至少一个生产样本上的所述当前层的所述光刻工具。
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公开(公告)号：CN110392920A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880011345.3
申请日：2018-01-03
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种用于确定用于对准测量的样本图的系统包含计量工具及控制器。所述控制器定义包含多个测量位置的全取样图。所述控制器引导所述计量工具针对多个样本在所述全取样图的每一测量位置处测量对准以产生参考对准数据集，且所述控制器产生各自为所述全取样图的子集的候选取样图。所述控制器进一步可基于所述两个或多于两个候选取样图在所述全取样图的每一测量位置处依据位置估计对准，且通过比较所述估计对准与所述参考对准数据集且选择具有超过选定容限的最小数目个对准估计的所述候选取样图而确定工作取样图。
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公开(公告)号：CN108369920A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073070.7
申请日：2016-12-09
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67259 , G01B11/272 , G01N21/9501 , G01N2201/12 , G03F9/7034
Abstract: 本发明揭示适应性对准方法及系统。一种适应性对准系统可包含经配置以对准晶片的扫描器及与所述扫描器通信的分析器。所述分析器可经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用后降对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。
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公开(公告)号：CN108369920B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201680073070.7
申请日：2016-12-09
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明揭示适应性对准方法及系统。一种适应性对准系统可包含经配置以对准晶片的扫描器及与所述扫描器通信的分析器。所述分析器可经配置以：辨识至少一个界定分析区域；确定所述分析区域内是否存在任何扰动；及响应于确定至少一个扰动在所述分析区域内而调用后降对准策略或向所述扫描器报告所述至少一个扰动。
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公开(公告)号：CN108028210B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201680052263.4
申请日：2016-09-14
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
Abstract: 产生灵活的稀疏度量取样图包含：从度量工具接收来自一或多个晶片的度量信号全集；基于所述度量信号全集来确定一组晶片性质，且计算与所述组晶片性质相关联的晶片性质度量；基于所述度量信号全集来计算一或多个独立特性度量；以及基于所述组晶片性质、所述晶片性质度量及所述一或多个独立特性度量来产生灵活的稀疏取样图。使用来自所述灵活的稀疏取样图的度量信号来计算的所述一或多个性质的所述一或多个独立特性度量是在选自使用所述度量信号全集来计算的所述一或多个性质的一或多个独立特性度量的阈值内。
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