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公开(公告)号：CN103843124B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201280048731.2
申请日：2012-08-30
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B13/04 , G05B2219/32018 , G05B2219/32191 , G05B2219/42001 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明可具体实施于一种用于监视并控制例如集成电路制作过程等制造过程中的反馈控制的系统及方法中。过程控制参数可包含通过在硅晶片上操作的光刻扫描仪或步进器所施加的平移、旋转、放大、剂量及焦距。使用覆盖误差来计算所述反馈控制过程中使用的测得参数。统计参数经计算、正规化并绘制在一组共同轴上以一目了然地比较测得参数与过程控制参数以促进疑难参数的检测。还以图表方式比较参数趋势与背景松弛情境。可确定例如EWMAλ等反馈控制参数并将其用作反馈参数以用于精炼基于所述测得参数计算对所述过程控制参数的调整的APC模型。
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公开(公告)号：CN108469793A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810282070.9
申请日：2012-08-30
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G05B19/418 , G05B13/04
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B13/04 , G05B2219/32018 , G05B2219/32191 , G05B2219/42001 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本公开涉及一种检测及校正疑难的先进过程控制参数的方法及系统。本发明可具体实施于一种用于监视并控制例如集成电路制作过程等制造过程中的反馈控制的系统及方法中。过程控制参数可包含通过在硅晶片上操作的光刻扫描仪或步进器所施加的平移、旋转、放大、剂量及焦距。使用覆盖误差来计算所述反馈控制过程中使用的测得参数。统计参数经计算、正规化并绘制在一组共同轴上以一目了然地比较测得参数与过程控制参数以促进疑难参数的检测。还以图表方式比较参数趋势与背景松弛情境。可确定例如EWMAλ等反馈控制参数并将其用作反馈参数以用于精炼基于所述测得参数计算对所述过程控制参数的调整的APC模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110312967B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201880008567.X
申请日：2018-01-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种工艺控制系统，其可包含控制器，其经配置以：在当前层的光刻步骤之后，从显影后检验ADI工具接收ADI数据；在所述当前层的曝光步骤之后，从蚀刻后检验AEI工具接收AEI叠加数据；运用ADI数据及AEI叠加数据来训练非零偏移预测器，以从输入ADI数据预测非零偏移；使用ADI数据及由所述非零偏移预测器产生的非零偏移来产生光刻工具的控制参数的值；及将所述控制参数的所述值提供到用于制造至少一个生产样本上的所述当前层的所述光刻工具。
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公开(公告)号：CN104412359B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380036087.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G06T7/0004 , G03F1/00 , G03F7/70641 , G06T7/0002 , G06T2207/30148 , G06T2207/30168
Abstract: 本发明涉及一种用于监测掩模聚焦的方法，其包含测量包含亚分辨率辅助特征的目标特征中的轮廓不对称性及基于轮廓与对应掩模的聚焦之间的已知相关导出聚焦响应。计算机系统可在光刻工艺中基于此类所导出的信息调整掩模聚焦以符合所要制造工艺。
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公开(公告)号：CN110312967A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880008567.X
申请日：2018-01-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种工艺控制系统，其可包含控制器，其经配置以：在当前层的光刻步骤之后，从显影后检验ADI工具接收ADI数据；在所述当前层的曝光步骤之后，从蚀刻后检验AEI工具接收AEI叠加数据；运用ADI数据及AEI叠加数据来训练非零偏移预测器，以从输入ADI数据预测非零偏移；使用ADI数据及由所述非零偏移预测器产生的非零偏移来产生光刻工具的控制参数的值；及将所述控制参数的所述值提供到用于制造至少一个生产样本上的所述当前层的所述光刻工具。
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公开(公告)号：CN104412359A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380036087.1
申请日：2013-06-04
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G06T7/0004 , G03F1/00 , G03F7/70641 , G06T7/0002 , G06T2207/30148 , G06T2207/30168
Abstract: 本发明涉及一种用于监测掩模聚焦的方法，其包含测量包含亚分辨率辅助特征的目标特征中的轮廓不对称性及基于轮廓与对应掩模的聚焦之间的已知相关导出聚焦响应。计算机系统可在光刻工艺中基于此类所导出的信息调整掩模聚焦以符合所要制造工艺。
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公开(公告)号：CN103843124A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280048731.2
申请日：2012-08-30
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B13/04 , G05B2219/32018 , G05B2219/32191 , G05B2219/42001 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明可具体实施于一种用于监视并控制例如集成电路制作过程等制造过程中的反馈控制的系统及方法中。过程控制参数可包含通过在硅晶片上操作的光刻扫描仪或步进器所施加的平移、旋转、放大、剂量及焦距。使用覆盖误差来计算所述反馈控制过程中使用的测得参数。统计参数经计算、正规化并绘制在一组共同轴上以一目了然地比较测得参数与过程控制参数以促进疑难参数的检测。还以图表方式比较参数趋势与背景松弛情境。可确定例如EWMAλ等反馈控制参数并将其用作反馈参数以用于精炼基于所述测得参数计算对所述过程控制参数的调整的APC模型。
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