公开(公告)号：CN112789713A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980065115.X

申请日：2019-10-15

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·道林 ,  T·辛格 ,  B·布拉尔 ,  S·巴塔查里亚 ,  B·曼蒂普利 ,  李胡成 ,  李晓春 ,  S·S·帕克

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G06T7/00

Abstract: 一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中，将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。

公开(公告)号：CN112789713B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980065115.X

申请日：2019-10-15

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·道林 ,  T·辛格 ,  B·布拉尔 ,  S·巴塔查里亚 ,  B·曼蒂普利 ,  李胡成 ,  李晓春 ,  S·S·帕克

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G06T7/00

Abstract: 一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中，将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。