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公开(公告)号：CN117269642A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311123556.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种用于车规级瞬态抗扰能力测试的信号发生电路，该电路通过二级放电波形叠加原理，实现了车规级浪涌测试标准ISO7637中的波形1。根据《ISO7637》描述，当汽车内电动座椅或座椅的加热系统等感性负载与电源断开时，由于电路中的感性负载需要维持原来的电流，其产生的电压脉冲将对与其并联的电子部件造成干扰。本发明提出的新型发生电路的输出波形正是模拟了此种波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN116598349A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310175863.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01L29/739 , H01L21/324 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种具有电热退火功能的可集成横向器件，元胞结构集成在第一导电类型半导体衬底上，包括第二导电类型半导体漂移区、多晶栅极、场氧化层、第二导电类型半导体漏区、第二导电类型半导体体区、第二导电类型半导体源区和第一导电类型半导体接触区，及电热退火装置，电热退火装置为多晶电热退火装置或者金属电热退火装置，当器件在强电场中反复施加应力或受到辐射照射后，Si/SiO2界面产生界面损伤，热退火能修复界面损伤；通过在源极金属和漏极金属上施加电压偏置，场氧化层上方的电热退火装置携带电流产生焦耳热，形成局部升温并进行退火，从而修复应力或辐射造成的界面损伤，从而延长器件的循环耐久性，提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116364715A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310297817.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种高维持电压双向SCR结构，包括：N型衬底、第一PWELL区、第二PWELL区、NWELL区、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一电极金属线、第一跨接金属线、第二跨接金属线、第二电极金属线；本发明通过跨接金属线引导阳极电流在进入阴极时，并非走内侧表面的路径，而是走外侧体内路径，增加其在导通时的压降，提高器件的维持电压，同时采用完全对称结构设计的SCR，能够满足双向ESD防护的要求，双向电学参数完全一致。
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公开(公告)号：CN117060894A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311129819.3
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种电压脉冲信号发生电路。通过对该电路中电源、电容和电阻取值的调整，即可实现对《ISO7637》中脉冲波形的仿真模拟。根据《ISO7637》描述，汽车运行时，各类瞬态事件产生的电磁干扰将通过耦合、传导、辐射等方式来影响汽车电子设备的正常工作；《ISO7637》中定义了几种脉冲波形用于模拟几种典型的瞬态干扰，如模拟线束电感下与电子设备并联的装置突然断开所引起的瞬态现象的脉冲2a；模拟在开关过程中由于线束分布电感和电容影响所引起的瞬态现象的脉冲3a/3b。本发明的输出波形能够很好地符合上述几种标准脉冲波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN116825785A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310379853.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种横向功率半导体器件，在传统横向功率半导体器件的栅氧化层处引入沿第二方向依次排列的第一栅极介质层，第二栅极介质层和第三栅极介质，三者的厚度可以调节，沿第二方向的长度可调节；在本发明所述的横向功率半导体器件中集成了第一场效应结构和第二场效应结构，其中，第二场效应结构具有较低的阈值电压，采取栅源短接的连接形式。当器件内部寄生PN结二极管处于正向偏置时，电流主要由第二场效应结构传导，因而器件整体的导通损耗得以降低，反向恢复特性得以改善。当本发明所述器件被应用于一些特定电路，比如同步Buck变换器中时，可以有效的降低续流损耗，改善反向恢复特性，提高变换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119835975A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411890356.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层、N型阱区、P型体区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、栅氧化层、第一氧化层、多晶硅控制栅电极、多晶硅分离嵌入栅电极、单层浮空场板；源极金属覆盖在第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区表面，漏极金属覆盖在第二N型重掺杂区表面。本发明通过在基于STI工艺的隔离氧化层上引入等间距的单层浮空场板，平滑表面电场分布，降低STI拐角以及分离嵌入栅引入的高峰值电场和强碰撞电离率，改善器件热载流子效应，同时浮空场板可以辅助耗尽，使电流路径远离器件表面，减少了器件表面产生的载流子数目，器件可靠性得以提升。
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公开(公告)号：CN119545840A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411256929.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaN HEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaN HEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaN HEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。
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公开(公告)号：CN119165317A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411256926.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种GaN高电子迁移率晶体管的动态导通电阻测试电路。本发明的电路包括UIS测试电路、DPT测试电路、钳位电路、驱动电路，特点是两个半导体开关可以选通UIS测试电路和DPT测试电路，可以在不移动器件的情况下进行UIS测试与随后的DPT测试，引入的钳位电路可以间接测试被测器件的导通压降。本发明可用于封装级器件产品测试，为GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估提供依据，对比传统测试电路，本发明将UIS和DPT测试电路集成在一起，提高了测试效率，同时减小了因施加电压力后到DPT测试时间过长、转移器件时过程与环境对结果的影响所造成的误差。
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公开(公告)号：CN119133240A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411200503.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种高栅氧可靠性的SiC超结器件，包括：源电极、多晶硅栅、P‑body区、N+接触区、栅极沟槽氧化物、P+栅氧保护区、P柱区、N柱区、N型衬底、漏电极；本发明所提出的高栅氧可靠性SiC超结器件通过沟槽刻蚀后的外延回填和离子注入分别形成电荷平衡的P柱结构和电荷高度不平衡的P+栅氧保护区结构，从而可在不增加额外版次的条件下兼顾低栅氧电场和低导通电阻，解决如何同时实现SiC超结器件高性能、高栅氧可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN119008618A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410359943.7
申请日：2024-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种双向静电保护器件，包括P型衬底、N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一SN注入区、第二SN注入区、第一SP注入区、第二SP注入区、第一高注入能量高掺杂浓度P型区、第二高注入能量高掺杂浓度P型区、第一金属连接线、第二金属连接线；本发明通过引入高注入能量高掺杂浓度P型区，嵌入新的电流泄放路径，使器件实现了二次回滞特性，增加了维持电压，提高抗闩锁性能，同时降低钳位电压，提高鲁棒性，此外采用完全对称的双向结构设计，满足双向ESD保护的需求。
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