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公开(公告)号：CN117060894A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311129819.3
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种电压脉冲信号发生电路。通过对该电路中电源、电容和电阻取值的调整，即可实现对《ISO7637》中脉冲波形的仿真模拟。根据《ISO7637》描述，汽车运行时，各类瞬态事件产生的电磁干扰将通过耦合、传导、辐射等方式来影响汽车电子设备的正常工作；《ISO7637》中定义了几种脉冲波形用于模拟几种典型的瞬态干扰，如模拟线束电感下与电子设备并联的装置突然断开所引起的瞬态现象的脉冲2a；模拟在开关过程中由于线束分布电感和电容影响所引起的瞬态现象的脉冲3a/3b。本发明的输出波形能够很好地符合上述几种标准脉冲波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN117269642A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311123556.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种用于车规级瞬态抗扰能力测试的信号发生电路，该电路通过二级放电波形叠加原理，实现了车规级浪涌测试标准ISO7637中的波形1。根据《ISO7637》描述，当汽车内电动座椅或座椅的加热系统等感性负载与电源断开时，由于电路中的感性负载需要维持原来的电流，其产生的电压脉冲将对与其并联的电子部件造成干扰。本发明提出的新型发生电路的输出波形正是模拟了此种波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN119008618A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410359943.7
申请日：2024-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种双向静电保护器件，包括P型衬底、N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一SN注入区、第二SN注入区、第一SP注入区、第二SP注入区、第一高注入能量高掺杂浓度P型区、第二高注入能量高掺杂浓度P型区、第一金属连接线、第二金属连接线；本发明通过引入高注入能量高掺杂浓度P型区，嵌入新的电流泄放路径，使器件实现了二次回滞特性，增加了维持电压，提高抗闩锁性能，同时降低钳位电压，提高鲁棒性，此外采用完全对称的双向结构设计，满足双向ESD保护的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759026B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210421998.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种新型双回滞静电保护器件，包括：第一SN注入、第二SN注入、第一SP注入、第二SP注入、第三SP注入、深层齐纳P区、N阱、Pbody区、阳极金属线、阴极金属线；当N阱与Pbody区发生雪崩击穿后，由第一SP注入、N阱、Pbody区、深层齐纳P区、第二SN注入组成的PNP+齐纳二极管路径将会被率先开启，该路径回滞现象很弱，被认为是本器件的第一次回滞。随着电流增加，由N阱、Pbody区、第二SP注入构成的NPN才会打开，从而引发强回滞，而此时Ih已经很高。该曲线能够很好的避免端口LU，同时降低VC。
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公开(公告)号：CN114759026A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210421998.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种新型双回滞静电保护器件，包括：第一SN注入、第二SN注入、第一SP注入、第二SP注入、第三SP注入、深层齐纳P区、N阱、Pbody区、阳极金属线、阴极金属线；当N阱与Pbody区发生雪崩击穿后，由第一SP注入、N阱、Pbody区、深层齐纳P区、第二SN注入组成的PNP+齐纳二极管路径将会被率先开启，该路径回滞现象很弱，被认为是本器件的第一次回滞。随着电流增加，由N阱、Pbody区、第二SP注入构成的NPN才会打开，从而引发强回滞，而此时Ih已经很高。该曲线能够很好的避免端口LU，同时降低VC。
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公开(公告)号：CN115985907A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310095729.0
申请日：2023-02-10
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子科学与技术领域，特别涉及一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件，包括n+型衬底(01)、p型埋层(02)、p型外延层(03)、n型埋层(04)、第一n型外延层(051)、第二n型外延层(052)、第一隔离区(31)、第二隔离区(32)、第三隔离区(33)、pwell区(06)、N+接触区(11)、P+区(21)、第一输入/输出端口(41)、第二输入/输出端口(42)；本发明通过引入p型埋层、p型外延层和n型埋层以及串联的垂直结构二极管实现了双向导通并有效降低了寄生电容。
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公开(公告)号：CN115939129A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211685681.0
申请日：2022-12-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种利用钝化层介质的低电容绑线结构，包括：n型衬底；P型阱区；第一N+接触区；第二N+接触区；第一P+区；第二P+区；第一氧化层介质区；第二氧化层介质区；第三氧化层介质区；第一金属电极；第二金属电极；第一钝化层区；第二钝化层区；第三钝化层区；导电胶或焊锡区。本发明通过切除寄生电容上方的金属区域并在剩余的金属两端开口，通过后续打线的焊锡与金属相连，这样一来该器件焊盘金属区域的等效介质层厚度将成为了介质加上被视为介质层的钝化层的总厚度，从而大大降低电容，同时对工艺参数，器件面积，电流能均力无影响。
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公开(公告)号：CN115763477A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211639838.6
申请日：2022-12-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种用于ESD防护的双向低电容NPN器件，包括：n+型衬底、n型埋层、第一p型埋层、第二p型埋层、第一n型外延层、第二n型外延层、第三n型外延层、第四n型外延层、第五n型外延层、p型阱区、齐纳注入的p型阱区、金属钨塞区、第一N+接触区、第二N+接触区、第三N+接触区、P+区、第一隔离区、第二隔离区、第三隔离区、第四隔离区、第五隔离区；本发明通过引入金属钨塞区、p型埋层和垂直结构的二极管，实现了器件的双向低电容特性，完美结合了垂直器件高电流效率与横向器件高度可集成的优势，能够实现多种双向、单向、阵列等单片防护结构。
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