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公开(公告)号：CN117269642A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311123556.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种用于车规级瞬态抗扰能力测试的信号发生电路，该电路通过二级放电波形叠加原理，实现了车规级浪涌测试标准ISO7637中的波形1。根据《ISO7637》描述，当汽车内电动座椅或座椅的加热系统等感性负载与电源断开时，由于电路中的感性负载需要维持原来的电流，其产生的电压脉冲将对与其并联的电子部件造成干扰。本发明提出的新型发生电路的输出波形正是模拟了此种波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN117060894A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311129819.3
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种电压脉冲信号发生电路。通过对该电路中电源、电容和电阻取值的调整，即可实现对《ISO7637》中脉冲波形的仿真模拟。根据《ISO7637》描述，汽车运行时，各类瞬态事件产生的电磁干扰将通过耦合、传导、辐射等方式来影响汽车电子设备的正常工作；《ISO7637》中定义了几种脉冲波形用于模拟几种典型的瞬态干扰，如模拟线束电感下与电子设备并联的装置突然断开所引起的瞬态现象的脉冲2a；模拟在开关过程中由于线束分布电感和电容影响所引起的瞬态现象的脉冲3a/3b。本发明的输出波形能够很好地符合上述几种标准脉冲波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN119543847A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411663574.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于栅源非线性的超宽带高性能射频功率放大器，包括SMA输入连接线的一端接射频信号源；SMA输入连接线的另一端接输入匹配电路的输入端；输入匹配电路的输出端接栅源非线性控制电路的输入端；栅源非线性控制电路的输出端接功放管的栅极；栅极偏置电路并接在输入匹配电路的输出端和栅源非线性控制电路的输入端之间；功放管的漏极接调谐电路的输入端；调谐电路的输出端接输出基波与谐波匹配电路的输入端；漏极偏置电路并接在调谐电路的输出端和输出基波与谐波匹配电路的输入端之间；输出基波与谐波匹配电路的输出端接SMA输出连接线的一端；SMA输出连接线的另一端为射频信号输出端，本发明设计了超宽带/多倍频程高性能功放。
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公开(公告)号：CN119208944A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411332400.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种基于SISL的滤波器和双工器；包括：从上而下依次设置的五层介质基板，分别为sub1‑sub5；每层介质基板的上表面和下表面均覆盖有金属层，由上至下共G1‑G10十层金属层；介质基板sub1和介质基板sub2的边缘均切除两个或三个长方形部分，且介质基板sub1和介质基板sub2重合；五层介质基板以及十层金属层上均设有贯穿的金属通孔方形阵列，每层介质基板以及每层金属层的金属通孔方形阵列均重合；金属层G5上设置有与介质基板sub1边缘切除的长方形部分数量相同的GCPW过渡到T形馈电结构；本发明具有优秀带外抑制性能和较小的电路尺寸以及较宽的阻带范围。
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公开(公告)号：CN119069980A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411429409.5
申请日：2024-10-14
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于带通滤波器技术领域，具体涉及一种降低开关频率要求的N‑path带通滤波器，包括N‑path带通滤波单元和高次谐波抑制的N‑path基波陷波单元，所述N‑path带通滤波单元和高次谐波抑制的N‑path基波陷波单元按照先带通后陷波的顺序进行级联。本发明降低了开关频率，进而降低了更高调谐频率带通滤波器的设计难度；在整体电路的片上面积较小，实现难度较易，并且对调谐频率2f相邻的基波f和三次谐波3f有抑制作用，可实现更好的带外抑制效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119171036A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411332764.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种基于通孔微扰的单层多模SIW双通带滤波器，包括：一层介质基板和分别位于基板上下表面的两层金属层；所述介质基板四周均设置有第一金属通孔阵列，所述介质基板上的第一金属通孔阵列围成方形形状与上、下层金属层构成SIW方形谐振腔；所述上、下层金属层的左右对称处分别设置有输入、输出端口，并通过50欧姆微带线接入SIW方形谐振腔。本发明利用金属通孔扰动SIW方形谐振腔内的模式引入传输零点，使该滤波器具有高选择性，滤波性能更加良好；通过调节腔内金属通孔列和金属通孔到谐振腔中心的间距，可以得到理想的通带中心频率和通带带宽。
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公开(公告)号：CN119009499A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411247659.7
申请日：2024-09-06
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于微波与天线技术领域，涉及一种宽带无源的毫米波轨道角动量超表面天线，包括：超表面和馈源喇叭天线；其中超表面天线由多个单元结构组成；单元结构包括两层介质基板和三层金属结构；相位延迟线设置在第二层介质基板的下表面；金属接地层上设置有耦合缝隙，将金属接地层设置在第一层介质基板和第二层介质基板之间，金属接地层的耦合缝隙与相位延迟线对应；天线辐射结构设置在第一层介质基板的上表面，天线辐射结构、第一层介质基板以及第二层介质基板上设置有对应的金属通孔，通过金属通孔使天线辐射结构与相位延迟线耦合；本发明的超表面单元通过调节相位延迟线结构的长度获得0°～360°的移相，降低了单元设计的复杂程度。
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公开(公告)号：CN118841727A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410855236.7
申请日：2024-06-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种加载缺陷地结构的毫米波SIW宽带带通滤波器，包括：一层介质基板和分别位于介质基板上下表面的两层金属层；所述介质基板上下两侧均设置有对称的等间距金属通孔阵列，以构成矩形SIW谐振腔体；所述上层金属层的左右两处分别设置有一个梯形过渡结构，所述过渡结构上设置有锥形渐变线，其一端连接有50欧姆微带线作为输入、输出端口，其另一端连接所述矩形SIW谐振腔。本发明采用单层矩形SIW谐振腔结构和刻蚀在其上表面的DGS单元，便实现了宽带频响特性，使得滤波器在相同性能条件下的体积更小；同时，其整体结构直观，加工简单，其仿真效果显示出良好的频率选择性和带外抑制效果。
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公开(公告)号：CN118763397A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411018278.1
申请日：2024-07-29
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种直边连接的平面螺旋天线、1×4天线及4×4天线阵列，包括：设置在第一介质基板上的平面螺旋天线和第一接地导电壁；所述平面螺旋天线包括：在第一介质基板上从左到右依次设置的SIW馈电端口、GCPW过渡结构和螺旋线；所述SIW馈电端口和螺旋线通过GCPW过渡结构进行连接；所述第一接地导电壁呈#imgabs0#型包括：第一竖墙、以及前后两个第一横墙，所述第一竖墙的前后两端分别与两个第一横墙的左端连接；所述螺旋线设置在前后两个第一横墙之间；其中，沿第一接地导电壁的内缘设置有由第一金属化通孔构成的第一垂直导电壁，本发明提出的馈电方式减少接头所引入的损耗，结构效果较好，且尺寸更小。
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公开(公告)号：CN118100456A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410242431.2
申请日：2024-03-04
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于射频电路领域，具体涉及一种超宽功率范围高效率小型化射频整流电路；包括：四分之一波长T型结由第一微带线、第二微带线和第三微带线组成；三条微带线的一端相互连接，第一微带线的另一端为输入端并连接微波源，第二微带线和第三微带线的另一端为输出端，分别连接第一隔直电容一端和第二隔直电容一端；低功率支路连接第一隔直电容的另一端和第一直通滤波器的输入端，高功率支路连接第二隔直电容的另一端和第二直通滤波器的输入端，第一直通滤波器的输出端连接第一负载，第二直通滤波器的输出端连接第二负载；减小了二极管开启损耗，提高了整流效率，二极管工作功率区域更宽，实现了在宽功率输入范围内整流。
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