公开(公告)号：CN119300393A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411256930.3

申请日：2024-09-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 孙瑞泽 ,  吴仁杰 ,  王小明 ,  马云飞 ,  袁文瀚 ,  陈万军 ,  张波

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/824 ,  H10D62/854

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件。本发明由横向GaN器件与垂直GaN器件结合，在横向GaN结构的沟道下方放置垂直GaN结构。器件正常工作时，栅极施加正向偏压，漏源之间施加正向偏压，器件上方横向GaN结构导通，有电流通过，下方垂直GaN结构反偏，几乎无电流。当器件处于反向耐压状态时，上方横向GaN结构无导通电流，下方垂直GaN结构反偏同样无导通电流。随着漏源之间电压一直增加，下方垂直GaN结构发生雪崩击穿，反向耐压下电流主要通过下方GaN垂直结构从漏极流向源极，从而使本发明的新型GaN功率半导体器件具有雪崩击穿，并且相较于传统PGaN栅GaN HEMT器件耐压有所提升。

公开(公告)号：CN119545840A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411256929.0

申请日：2024-09-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 孙瑞泽 ,  袁文瀚 ,  吴仁杰 ,  马云飞 ,  陈万军 ,  张波

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/13

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaN HEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaN HEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaN HEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。

公开(公告)号：CN119165317A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411256926.7

申请日：2024-09-09

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 孙瑞泽 ,  马云飞 ,  潘慈 ,  袁文瀚 ,  吴仁杰 ,  陈兴欢 ,  陈万军 ,  张波

IPC: G01R31/26 ,  G01R27/08

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种GaN高电子迁移率晶体管的动态导通电阻测试电路。本发明的电路包括UIS测试电路、DPT测试电路、钳位电路、驱动电路，特点是两个半导体开关可以选通UIS测试电路和DPT测试电路，可以在不移动器件的情况下进行UIS测试与随后的DPT测试，引入的钳位电路可以间接测试被测器件的导通压降。本发明可用于封装级器件产品测试，为GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估提供依据，对比传统测试电路，本发明将UIS和DPT测试电路集成在一起，提高了测试效率，同时减小了因施加电压力后到DPT测试时间过长、转移器件时过程与环境对结果的影响所造成的误差。