一种机电产品表面检测修复装置

    公开(公告)号:CN218078664U

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202222114274.6

    申请日:2022-08-09

    Abstract: 本实用新型属于电产品修复技术领域。尤其是一种机电产品表面检测修复装置,包括移动底座,所述移动底座顶部开设有滑槽,所述滑槽内壁转动连接有调节杆,所述调节杆圆周外壁螺纹连接有安装板,所述安装板左侧凸起顶部固设有涂料箱,所述涂料箱顶部固设有连接管,所述安装板左侧壁固设有增压泵,所述安装板右侧设有防护套,所述防护套左侧开设有安装槽,所述安装槽内壁螺纹连接有收集盘,所述收集盘右侧开设有收集槽,所述收集盘左侧呈环形对称结构固设有两个滑杆,所述滑杆圆周外壁套设有弹簧,此设计能够便于对喷漆的范围进行控制,避免油漆四处飞溅影响设备整体美观,同时避免了人工手动挤压喷漆导致的稳定性差的问题。

    一种净水机滤芯检测装置

    公开(公告)号:CN218239746U

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202221850995.7

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本实用新型公开了一种净水机滤芯检测装置,涉及滤芯检测技术领域。本实用新型包括支撑架和滤芯主体,支撑架的一侧滑动连接有连接板,连接板的一侧固定连接有第一连通件和第二连通件,连接板的表面开设有方孔,方孔的内腔滑动连接有第三连通件,连接板的另一侧固定连接有伸缩杆,伸缩杆的输出端与第三连通件之间固定连接,第三连通件的上端固定连接有波纹管。本实用新型通过滑轨、连接板、第一连通件、第二连通件、第三连通件、伸缩杆、波纹管、软管、金属对接管和密封套,解决了现有的检测装置在使用的过程中,不便于快速更换抽检样品,影响检测效率,不便于针对样品滤芯的具体个数进行同步配套检测,影响检测结果的精准度。

    一种光电光学透镜用缺陷检测设备

    公开(公告)号:CN218239880U

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202222094738.1

    申请日:2022-08-09

    Abstract: 本实用新型涉及光电光学透镜检测设备技术领域,尤其涉及一种光电光学透镜用缺陷检测设备。其技术方案包括:中空环状连接板,所述中空环状连接板的外壁上开设有螺纹孔,所述螺纹孔内安装有螺纹杆,所述螺纹杆的一端安装有安装板,且安装板位于中空环状连接板的内侧,所述中空环状连接板通过压力检测传感器与固定夹板连接,所述中空环状连接板的外壁下方设置有环状凸块,所述环状凸块的底部两侧分别安装有第二连接板和第一连接板。本实用新型便于对不同形状大小的光电光学透镜进行夹持固定,还可以控制对光电光学透镜所夹持固定力的大小,避免了对光电光学透镜所夹持固定的力过大而导致光电光学透镜损坏的情况发生,实用性强。

    一种列车轮对轴承探伤装置

    公开(公告)号:CN218239324U

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202221994997.3

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本实用新型属于轮对轴承检测技术领域。尤其是一种列车轮对轴承探伤装置,包括探伤装置本体,所述探伤装置本体上安装有探测线,所述探测线圆周外壁固设有握柄,所述握柄圆周外壁滑动连接有连接套,所述连接套圆周外壁转动连接有安装套,所述探测线端部固设有探测头,所述握柄圆周外壁固设有限位套,通过电机带动齿轮转动,通过齿轮带动齿圈转动,通过齿圈带动安装套转动,安装套转动时带动多个滑杆转动,从而使得清洁刷转动,通过手持握柄推动清洁刷与车轴上的轴承接触,通过挤压,使得连接杆沿着滑杆滑动并对弹簧二产生挤压,此时清洁刷会与轴承表面紧密贴合,从而对轴承表面进行清洁,避免轴承表面的灰尘影响检测数据的精准度。

    一种逆阻型IGBT
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107749420B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN201711155364.7

    申请日:2017-11-20

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层,且P+集电区和漂移区被N1阻隔,紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时,与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来,在没有完全耗尽高浓度N1时,耗尽区可在漂移区内扩展,避免集电结发生击穿,实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT,施加正向阻断电压时,N1和与集电极电气相连的场板共同作用,使正向电场被截止,在N1、N2和槽结构共同作用下,缩短漂移区长度,实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。

    一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT

    公开(公告)号:CN107342321B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201710768209.6

    申请日:2017-08-31

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构,主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时,槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值,集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入,而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层;因此,漂移区内空穴/电子浓度提高,有利获得更低的正向导通压降;同时,由于N+集电区位于P+集电区上表面,未与N型漂移区接触,因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为,相对于传统短路阳极‑LIGBT结构,本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降,而且没有电压折回效应。

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