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公开(公告)号：CN102683403B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210123366.9
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397
Abstract: 一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上，在器件N型漂移区的上部引入一层P型埋层，通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压。同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102683402B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210123005.4
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395
Abstract: 一种平面栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上，在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层；通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压；同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102800669A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210316774.6
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种半导体线性恒流器，属于半导体器件技术领域。该线性恒流器包括一个MOSFET（14）、一个稳压二极管（13）和一个限流电阻（12），三者集成到同一个芯片上。稳压二极管的一端与MOSFET的栅极G相连，另一端与MOSFET的源极S相连；限流电阻一端与MOSFET的漏极D相连，另一端与MOSFET的栅极G相连。稳压二极管可以钳位住MOSFET的栅极电压，使得MOSFET的漏源电流ID维持恒定；限流电阻R可以抑制稳压二极管的电流。限流电阻可以是多晶硅电阻也可以是阱电阻。本发明具有结构简单、恒流效果明显和具有稳定的温度特性，可用作LED照明负载恒流驱动源。
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公开(公告)号：CN102779839A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248777.0
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/36 , H01L29/739
Abstract: 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在其N-漂移区（8）中注入深能级N型杂质。通过深能级杂质随着温度升高，电离度升高，杂质浓度上升这一特性，能有效减小IGBT寄生PNP晶体管αPNP，从而减小IGBT的高温漏电流，进一步减少IGBT的整体功耗；N-漂移区（8）增加的电子浓度和空穴在漂移区加速复合，而且深能级杂质本身就是复合中心，进一步加速电子空穴的复合，减少IGBT的关断过程，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
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公开(公告)号：CN102683402A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210123005.4
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395
Abstract: 一种平面栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上，在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层；通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压；同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832219B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210316186.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/098
Abstract: 一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻，可调热敏电阻一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻，可调热敏电阻可以通过激光切割等方式得到满足输出电流大小要求的阻值，在同一批次中得到不同类型产品。热敏电阻为正温度系数，工作情况下，温度增加，电阻增大，降低输出电流，保护了所应用系统的可靠性。本发明具有集成度高、输出电流稳定、输电流大小可调节、温度特性好的优点，可应用于LED照明等领域。
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公开(公告)号：CN102800591A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210315975.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/331
Abstract: 一种FS-IGBT器件的制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明使用衬底上进行N型杂质注入形成场截止层，然后生长外延层，制作正面图形，然后背部减薄，背部P型集电区注入并退火，背部金属化的方法来制作场截止型晶体管，可以使场截止层杂质充分激活。此外，通过控制热预算及背部减薄的位置，本方法可以在场截止层与P型集电区之间引入N型过渡区，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN102779847A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248667.4
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种载流子存储的沟槽双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT基础上，在P-base区域6沟道末端用一层薄N+层结构21来取代牺牲的少量P-base区域，从而进一步提高载流子储存层与漂移区的电子浓度，在有效减小IGBT导通压降的同时却不影响器件的耐压值和关断特性，从而可以更好的改善导通损耗和关断损耗的折中关系。
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公开(公告)号：CN102832219A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316186.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/098
Abstract: 一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻，可调热敏电阻一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻，可调热敏电阻可以通过激光切割等方式得到满足输出电流大小要求的阻值，在同一批次中得到不同类型产品。热敏电阻为正温度系数，工作情况下，温度增加，电阻增大，降低输出电流，保护了所应用系统的可靠性。本发明具有集成度高、输出电流稳定、输电流大小可调节、温度特性好的优点，可应用于LED照明等领域。
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公开(公告)号：CN102779842A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248741.2
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种变形槽栅介质的CSTBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT器件的基础上，改变槽内沟道区下方，即P型基区（5）下方栅介质层（7）的形状，使沟槽底部的多晶硅栅极12被更多的栅介质层7所包围，在基本不影响器件其他参数的情况下，可极大程度的提高器件的击穿电压，能更好的实现击穿电压与导通压降的折中关系，进一步优器件的综合性能。
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