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公开(公告)号：CN106129135B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610576141.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯场效应晶体管的太赫兹探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括栅极、衬底层、绝缘层、金属电极层、石墨烯沟道层，金属电极层包括金属电极阵列以及位于金属图形阵列两侧的源极和漏极，金属电极阵列包括多个周期性间隔排列的金属电极，金属电极、源极和漏极的厚度相同，石墨烯沟道层形成在金属电极层上，且石墨烯沟道层全部覆盖金属电极阵列以及至少部分覆盖源极和漏极。通过上述方式，本发明能够提高探测器对太赫兹辐射的吸收率。
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公开(公告)号：CN106952981A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710174766.5
申请日：2017-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/1876
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯的宽波段探测器结构及其制作方法，该结构从下到上依次包括硅衬底、反射层及绝缘层，绝缘层上形成有金属天线和电极，金属天线和电极上形成有石墨烯层，石墨烯层覆盖部分电极和全部金属天线图形，石墨烯层上形成有钙钛矿量子点层，钙钛矿量子点层完全覆盖石墨烯层。本发明利用石墨烯和钙钛矿量子点结合实现对可见光与近红外辐射的探测，且钙钛矿量子点层对可见光、近红外波段的红外辐射有较强的吸收能力；利用金属天线与石墨烯结合实现对中红外与远红外辐射的探测，且特定的金属天线结构对中红外与远红外波段的红外辐射有较强的吸收能力；解决了传统石墨烯光探测器探测能力弱和金属天线探测波段窄的问题。
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公开(公告)号：CN103606586A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310636463.2
申请日：2013-12-03
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L37/025 , H01L37/02
Abstract: 本发明公开了一种基于钽酸锂热释电材料的太赫兹线列探测器及其制备方法，首先从钽酸锂晶圆片上切片减薄获得线列探测器所需晶片尺寸，然后在晶片背面制备条形电极，形成探测器下电极，该电极亦为线列各单元公用电极；然后在晶片正面形成各单元所需上电极图形；然后结合光刻形成单元隔离槽。最后在下电极上制备太赫兹吸收层。至此得到线列探测器敏感元结构。该结构结合MEMS（微机电系统）加工技术，可获得良好的热隔离效果，且加工工艺相对于微桥结构太赫兹探测器较为简单。
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公开(公告)号：CN108281554A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810079091.0
申请日：2018-01-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，具体涉及一种量子点结构光电探测器的制备方法，具有一覆盖有介质层的高掺杂衬底，包括以下步骤：在介质层上形成二维材料层；在二维材料层的表面涂覆量子点材料层溶液，形成量子点材料层；在量子点材料层上制作一层图形化的透明导电膜，完成器件制备。一种电压辅助的量子点结构光电探测器，从下到上依次包括高掺杂衬底、介质层、二维材料层、量子点材料层及透明导电膜，二维材料层上形成源电极和漏电极；二维材料层与量子点材料层接触形成内建电场；透明导电膜与高掺杂衬底之间施加一个与内建电场方向一致的可调的调制电压。本发明可以提高器件的响应速度和光电流增益，使器件性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN104215338A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410439239.9
申请日：2014-09-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种集成压电热释电特性的温室探测器及其制备方法，该集成压电热释电特性的温室探测器包括：由下至上依次覆盖的衬底，介质层，下电极层，热释电材料层，上电极层以及顶层辐射波长吸收层；其中，在衬底与介质层之间形成空腔体，介质层在空腔体的顶部，且介质层在所述空腔体的一侧延伸至衬底上，使得介质层、下电极层、热释电材料层、上电极层以及顶层辐射波长吸收层整体形成悬臂梁结构，解决了现有技术中存在探测器的探测性能较低的技术问题，实现了提高了探测器的探测性能的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413806A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310370703.9
申请日：2013-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开了一种热释电传感器封装结构，涉及热释电传感器封装技术领域，目的在于提供一种工艺流程简化、传感器可靠性高的热释电传感器封装结构。其技术方案为：一种热释电传感器封装结构，包括底座和外壳，底座与外壳形成封闭式结构，其特征在于：底座上设有敏感元件、电子器件、引脚焊盘，敏感元件与电子器件电连接，电子器件与引脚焊盘电连接并引出。其有益效果在于：底座上设有敏感元件、电子器件和3个引脚焊盘，敏感元件、电子器件和引脚焊盘之间采用PCB板进行元件布局、电气连接以及电磁屏蔽，简化了热释电传感器封装工艺流程，同时提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106219516B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610604496.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/159 , C01B32/168 , B82B3/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法，通过将表面带有平行电极的衬底倾斜静置在单壁碳纳米管、去离子水、表面活性剂、有机聚合物混合制得的胶状液体中，由于平行电极对碳纳米管的尺寸效应使碳纳米管能够在平行电极间定向排布。本方法相比传统的化学气相沉积法制备垂直排列的定向碳纳米管，操作简单，制备了水平定向排布的碳纳米管，可以应用于在场效应管、场发射器和化学传感器中。
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公开(公告)号：CN106129135A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610576141.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/1804
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯场效应晶体管的太赫兹探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括栅极、衬底层、绝缘层、金属电极层、石墨烯沟道层，金属电极层包括金属电极阵列以及位于金属图形阵列两侧的源极和漏极，金属电极阵列包括多个周期性间隔排列的金属电极，金属电极、源极和漏极的厚度相同，石墨烯沟道层形成在金属电极层上，且石墨烯沟道层全部覆盖金属电极阵列以及至少部分覆盖源极和漏极。通过上述方式，本发明能够提高探测器对太赫兹辐射的吸收率。
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公开(公告)号：CN103606586B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310636463.2
申请日：2013-12-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钽酸锂热释电材料的太赫兹线列探测器及其制备方法，首先从钽酸锂晶圆片上切片减薄获得线列探测器所需晶片尺寸，然后在晶片背面制备条形电极，形成探测器下电极，该电极亦为线列各单元公用电极；然后在晶片正面形成各单元所需上电极图形；然后结合光刻形成单元隔离槽。最后在下电极上制备太赫兹吸收层。至此得到线列探测器敏感元结构。该结构结合MEMS（微机电系统）加工技术，可获得良好的热隔离效果，且加工工艺相对于微桥结构太赫兹探测器较为简单。
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