一种拱形三分支波导定向耦合器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117096568A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311353850.5

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 该发明公开了一种拱形三分支波导定向耦合器,属于电子元器件领域,特别是波导耦合器。普通3分支线耦合器结构由于耦合性能较差,带宽较窄而较少采用,而本发明的分支波导结构在实现与普通5分支线结构耦合器相同性能的基础上,将最窄耦合孔的宽度提升到0.2mm级,极大地降低了加工要求,降低了成本。同时,本发明耦合器最窄耦合孔的宽度与传统5分支线结构耦合器最窄耦合孔的宽度相比宽一倍以上,加工出的金属枝节结构更加结实牢固,这种改进型的结构在长期使用的过程中,在同样的应力情况下,更不容易发生形变,提升了耦合器的使用寿命。

    扇形宽波束收发天线
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108879089B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201810510358.7

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 本发明公开一种扇形宽波束收发天线,包括发射天线和接收天线。所述发射天线包括相对间隔设置的发射反射层和发射辐射层;发射反射层由发射反射介质基板、发射引向金属贴片阵列和发射反射金属带条所构成;发射辐射层由发射金属地板、发射辐射介质基板和发射辐射单元所构成。所述接收天线包括相对间隔设置的接收反射层和接收辐射层;接收反射层由接收反射介质基板和接收反射金属带条所构成;接收辐射层由接收金属地板、接收辐射介质基板和接收辐射单元所构成。本发明发射天线和接收天线结构简单,易于加工,实现了发射天线和接收天线在水平面扇形宽波束,俯仰面实现窄波束,增益及波束宽度均满足车载角雷达的需求,适用于车载角雷达。

    一种量子点结构光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108281554B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201810079091.0

    申请日:2018-01-26

    Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域,具体涉及一种量子点结构光电探测器的制备方法,具有一覆盖有介质层的高掺杂衬底,包括以下步骤:在介质层上形成二维材料层;在二维材料层的表面涂覆量子点材料层溶液,形成量子点材料层;在量子点材料层上制作一层图形化的透明导电膜,完成器件制备。一种电压辅助的量子点结构光电探测器,从下到上依次包括高掺杂衬底、介质层、二维材料层、量子点材料层及透明导电膜,二维材料层上形成源电极和漏电极;二维材料层与量子点材料层接触形成内建电场;透明导电膜与高掺杂衬底之间施加一个与内建电场方向一致的可调的调制电压。本发明可以提高器件的响应速度和光电流增益,使器件性能得到显著提升。

    基于USBKEY的EFI可信云链引导方法

    公开(公告)号:CN102244684B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201110215348.9

    申请日:2011-07-29

    Inventor: 佘堃 杨明 潘富斌

    Abstract: 本发明公开了一种基于USBKEY的EFI可信云链引导方法,通过将可信根设置在硬件中,使得在硬件中存储有用户的私钥和数字证书,而这个硬件可信根完全由用户保管,这样就从根本上解决了安全问题。本发明提出了一套自应用程序到系统硬件可信云链建立的完整解决方案,实现从计算机加电开始到最终应用程序启动的一条完整的全程可信监控链,解决了EFI的安全性差的问题,保证了云平台的可信。通过硬件信息以及OS的完整性保证虚拟机的可靠安全运行,实现了基于云计算虚拟化的可信链路。

    一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103011813A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201310003133.X

    申请日:2013-01-06

    Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法,其步骤如下:(1)将无水乙酸锂溶于高溶解度的溶剂中,加热并磁力搅拌至乙酸锂完全溶解;(2)在大气环境中,按Li+与Ta5+的摩尔比准确加入乙醇钽,磁力搅拌至前驱体充分反应,得到棕黄色透明胶体;(3)采用旋涂法制备湿膜;(4)在大气通氧气氛下热处理使薄膜干燥并结晶;(5)重复(3)和(4)至得到所需厚度的钽酸锂结晶薄膜。本方法克服了目前溶胶凝胶法制备钽酸锂薄膜时需要惰性气体保护、绝对干燥等严苛的实验要求,解决了前驱体浓度过低的问题,大大降低旋涂与热处理次数,可制备均匀、平整、致密、热释电性能良好的钽酸锂纳米结晶薄膜。

    一种适用弱通信场景的声光应急通信装置及设备

    公开(公告)号:CN120018099A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510043291.0

    申请日:2025-01-10

    Abstract: 本发明提供了一种适用弱通信场景的声光应急通信装置及设备,该装置和设备提出了声光通信全模块化硬件设计,具有声光信号处理集成设计、声通感算力分离设计及传感模组高可变性等特征。本发明的硬件设计有效了降低模块需求尺寸,和对单芯片的算力要求,且具有快速定制化及多场景适配能力。本发明的声感知模块采用低能耗事件的驱动感知算法和适配可变传感模组的光链路质量的预测算法。驱动感知算法通过声信号感知算法与传感信号结合,能够灵活休眠及突发环境快速评估,能够在低算力平台使用,且有效降低能量消耗。预测算法结合声感知信息和环境信息,使用模糊逻辑实现多种场景的多样输入兼容,抽象多种环境信息及传感器数据,具有多场景适用性和高准确性。

    基于LabVIEW的光波导相控阵扫描电压校准系统

    公开(公告)号:CN107167779B

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201710340279.1

    申请日:2017-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于LabVIEW的光波导相控阵扫描电压校准系统,主要解决现有技术由于光波导相控阵器件不理想造成手动调整电压过于繁琐的问题。整个系统包括激光光源、光耦合系统、光波导阵列芯片、主控计算机、相控阵电源,激光光源通过光耦合系统将光束耦合进光波导阵列芯片,使光束在远场相干叠加成远场光斑;主控计算机控制相控阵电源将其发出的控制指令转化为控制电压,加载在光波导阵列芯片的电极端,通过主控计算机中设有的电源控制模块、图像采集及处理模块和数据处理模块反馈循环控制,实现对光波导阵列芯片各个扫描角度电压的校准。本发明便于操作,极大地减少了电压校准所需要的时间,可用于激光通信,激光雷达及激光显示。

    一种量子点结构光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108281554A

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201810079091.0

    申请日:2018-01-26

    Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域,具体涉及一种量子点结构光电探测器的制备方法,具有一覆盖有介质层的高掺杂衬底,包括以下步骤:在介质层上形成二维材料层;在二维材料层的表面涂覆量子点材料层溶液,形成量子点材料层;在量子点材料层上制作一层图形化的透明导电膜,完成器件制备。一种电压辅助的量子点结构光电探测器,从下到上依次包括高掺杂衬底、介质层、二维材料层、量子点材料层及透明导电膜,二维材料层上形成源电极和漏电极;二维材料层与量子点材料层接触形成内建电场;透明导电膜与高掺杂衬底之间施加一个与内建电场方向一致的可调的调制电压。本发明可以提高器件的响应速度和光电流增益,使器件性能得到显著提升。

    基于LabVIEW的光波导相控阵扫描电压校准系统

    公开(公告)号:CN107167779A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710340279.1

    申请日:2017-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于LabVIEW的光波导相控阵扫描电压校准系统,主要解决现有技术由于光波导相控阵器件不理想造成手动调整电压过于繁琐的问题。整个系统包括激光光源、光耦合系统、光波导阵列芯片、主控计算机、相控阵电源,激光光源通过光耦合系统将光束耦合进光波导阵列芯片,使光束在远场相干叠加成远场光斑;主控计算机控制相控阵电源将其发出的控制指令转化为控制电压,加载在光波导阵列芯片的电极端,通过主控计算机中设有的电源控制模块、图像采集及处理模块和数据处理模块反馈循环控制,实现对光波导阵列芯片各个扫描角度电压的校准。本发明便于操作,极大地减少了电压校准所需要的时间,可用于激光通信,激光雷达及激光显示。

    用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN102998725A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210529823.4

    申请日:2012-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种用于吸收太赫兹辐射的粗糙黑化金属薄膜及其制备方法,该超薄金属膜被所述金属活性刻蚀剂的氟基等离子体轰击处理,氟基等离子体的物理轰击使金属薄膜表面粗糙化。同时,通过调节刻蚀时氟离子能量与浓度,使大量氟离子吸附到金属薄膜粗糙表面并在表面扩散与反应,获得表面富集氟离子的金属薄膜。刻蚀后氟离子在粗糙的金属薄膜表面生成大量结晶缺陷,使金属薄膜表面黑化。粗糙黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点,有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率,且制备工艺简单,与MEMS工艺兼容,可广泛应用于太赫兹探测与成像领域。

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