极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN110148626A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910095373.4

    申请日:2019-01-31

    Inventor: 王晓飞 孙权 杨翠

    Abstract: 本发明公开了一种极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管,主要解决传统物理掺杂技术引起的随机掺杂波动导致器件性能下降,制作工艺复杂,可靠性低的问题。其自下而上包括:衬底(1)、缓冲层(2)和体区(3),体区的右上部设有极化反型层(4),在体区的上部、极化反型层的左侧和上部淀积有介质层(8),介质层左侧刻蚀有栅台阶(9),介质层上部自右向左依次淀积有调制板(10)、栅极(11)和隧穿栅(12),体区两侧刻蚀有下台阶(5),该台阶的左右侧上部分别设有源极(7)和漏极(6)。本发明避免了传统物理掺杂技术中的退火工艺,改善了器件的输出电流和亚阈值摆幅并抑制了反向漏电,提高了器件可靠性,可用于低功耗电路系统。

    基于样本分段差分阵列的抗干扰方法

    公开(公告)号:CN118376982A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410032782.0

    申请日:2024-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于样本分段差分阵列的抗干扰方法,其实现步骤是:将平面阵列接收数据进行子阵合成后,对子阵样本进行分段,计算每段子阵的协方差矩阵;从而获取差分阵列的接收数据;通过计算差分阵列的导向矢量和协方差矩阵,得到最小方差无失响应波束形成器权矢量;利用权矢量进行波束形成从而抑制干扰。本发明解决了阵列抑制干扰时受到有限空间通道的约束和使用空间平滑法计算差分阵列协方差矩阵时损失系统自由度的问题,能够在空间通道数有限时抑制多于物理阵列自由度的干扰,提高了有限空间通道约束下系统抑制多干扰的能力,具有扩展阵列自由度的优点。

    基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法

    公开(公告)号:CN111693577B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202010505550.4

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法,主要解决现有微热板温度分布不均和功耗大的问题,其自下而上包括:硅衬底(1),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4);覆盖层(4)的上部中间设有测试电极(5)和加热电极(6),且测试电极(5)被加热电极(6)所包围,覆盖层(4)上部的四个对角位置设有极板(7),该硅衬底(1)通过腐蚀形成空气绝热槽(8),该上绝缘层(3)中间自上而下设有通孔阵列(10)和空气隔热层(9),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4)通过腐蚀同时形成加热平台(11)和悬臂(12),本发明温度分布均匀、功耗低,可用于气体传感器的加热装置。

    基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法

    公开(公告)号:CN111693577A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010505550.4

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法,主要解决现有微热板温度分布不均和功耗大的问题,其自下而上包括:硅衬底(1),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4);覆盖层(4)的上部中间设有测试电极(5)和加热电极(6),且测试电极(5)被加热电极(6)所包围,覆盖层(4)上部的四个对角位置设有极板(7),该硅衬底(1)通过腐蚀形成空气绝热槽(8),该上绝缘层(3)中间自上而下设有通孔阵列(10)和空气隔热层(9),下绝缘层(2)、上绝缘层(3)和覆盖层(4)通过腐蚀同时形成加热平台(11)和悬臂(12),本发明温度分布均匀、功耗低,可用于气体传感器的加热装置。

    极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN110148626B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201910095373.4

    申请日:2019-01-31

    Inventor: 王晓飞 孙权 杨翠

    Abstract: 本发明公开了一种极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管,主要解决传统物理掺杂技术引起的随机掺杂波动导致器件性能下降,制作工艺复杂,可靠性低的问题。其自下而上包括:衬底(1)、缓冲层(2)和体区(3),体区的右上部设有极化反型层(4),在体区的上部、极化反型层的左侧和上部淀积有介质层(8),介质层左侧刻蚀有栅台阶(9),介质层上部自右向左依次淀积有调制板(10)、栅极(11)和隧穿栅(12),体区两侧刻蚀有下台阶(5),该台阶的左右侧上部分别设有源极(7)和漏极(6)。本发明避免了传统物理掺杂技术中的退火工艺,改善了器件的输出电流和亚阈值摆幅并抑制了反向漏电,提高了器件可靠性,可用于低功耗电路系统。

    基于温度补偿结构的气体传感器

    公开(公告)号:CN111689457B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202010506529.6

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于温度补偿结构的气体传感器,主要解决现有气体传感器温度分布不均的问题,其包括硅衬底(1)、下绝缘层(2)、温度补偿结构加热电极(3)、上电极板(9)、下电极板(4)、上绝缘层(5)、覆盖层(6)、保护层(7)、测试电极(8)、测试极板(10)、加热平台(15)、悬臂(16)和气敏膜(17),该硅衬底通过腐蚀形成空气绝热槽(11),该覆盖层中间设有通孔阵列(12)和空气隔热层(13),该下电极板与上电极板之间设有接触孔(14),该温度补偿结构加热电极由自内向外厚度逐渐减小的m圈电极组成。本发明温度分布均匀、功耗低,可用于化工生产和安全家居领域中对化学气体的监测。

    基于子阵方向图的栅瓣干扰抑制方法

    公开(公告)号:CN115712089A

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202211449059.X

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于子阵方向图的栅瓣干扰抑制方法,其实现步骤是:生成包括栅瓣角度干扰信号和噪声的平面阵列信号;计算平面阵列均匀划分后每个子阵的权值;设计每个子阵的方向图;抑制栅瓣干扰。本发明能够使子阵方向图在子阵级方向图所对应的栅瓣角度产生宽零陷,进而抑制栅瓣干扰,具有既能抑制已知角度的栅瓣干扰,又能抑制未知角度的栅瓣干扰,应用普适性高,提高存在栅瓣干扰时子阵级自适应波束形成的输出信噪比的优点,解决了雷达子阵级自适应波束形成当存在栅瓣干扰时需要已知栅瓣干扰的角度信息导致不能抑制其他栅瓣角度干扰和损失有用信号导致输出信噪比降低的问题。

    基于温度补偿结构的气体传感器

    公开(公告)号:CN111689457A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010506529.6

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于温度补偿结构的气体传感器,主要解决现有气体传感器温度分布不均的问题,其包括硅衬底(1)、下绝缘层(2)、温度补偿结构加热电极(3)、上电极板(9)、下电极板(4)、上绝缘层(5)、覆盖层(6)、保护层(7)、测试电极(8)、测试极板(10)、加热平台(15)、悬臂(16)和气敏膜(17),该硅衬底通过腐蚀形成空气绝热槽(11),该覆盖层中间设有通孔阵列(12)和空气隔热层(13),该下电极板与上电极板之间设有接触孔(14),该温度补偿结构加热电极由自内向外厚度逐渐减小的m圈电极组成。本发明温度分布均匀、功耗低,可用于化工生产和安全家居领域中对化学气体的监测。

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