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公开(公告)号：CN117486596A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311450393.1
申请日：2023-11-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/30 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 对于LTCC变压器来说，它的转换效率是一个至关重要的指标，为了降低整体损耗，就必须选择低功率损耗的材料来制作基板。本发明提供一种高频LTCC变压器用低损耗基板材料及其制备方法。本发明通过加入Bi2O3在920℃实现铁氧体的低温烧结，并通过二次球磨时加入YIG旋磁铁氧体粉末，提高整体电阻率并形成磁性晶界，最终制备出初始磁导率为204，饱和磁感应强度为408mT，功率损耗为53kW/m3的高磁导率低功率损耗的铁氧体材料。本发明使功率铁氧体材料高磁导率和低功率损耗的兼具成为可能，为高频LTCC变压器及高频DC/DC开关等铁氧体器件的进一步小型化提供了基础。
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公开(公告)号：CN115463682B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202211320587.5
申请日：2022-10-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体光催化材料制备领域，特别涉及一种S型晶化氮化碳同质结光催化材料的制备与光催化CO2还原应用。本发明以三聚氰胺、氯化锂、以及氯化钾为原料，结合异步结晶和静电自组装策略制备出S型晶化氮化碳同质结光催化材料并探究了其在光催化CO2还原领域的应用。该复合材料具有1D/2D面对面接触的结构，包含三嗪和七嗪两种晶相，两种晶相比例可精确调控。在三嗪/七嗪两种晶相的界面间存在界面电场，促使光生电子按照S型转移。S型同质结可通过多种表征证明，并且该S型同质结不受两种晶相比例的影响。在光催化二氧化碳还原应用中，在可见光的照射下，其CO生成速率高达19.38μ‑1 ‑1 ‑1 ‑1mol g h ，并且具有81.8μmol g h 的电子消耗速率。
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公开(公告)号：CN118084474A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311423078.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/30 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 本发明提供了一种LTCC变压器用低孔隙率低功率损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性材料技术领域。所述低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料由主料、BZB玻璃助烧剂、离子取代剂构成，其中助烧剂的重量百分比为0.25wt.％，离子取代剂重量百分比为0.00％‑0.30％，所述主料为Ni0.35Zn0.4Cu0.25Fe1.98O4，所述助烧剂为BZB玻璃助烧剂，离子取代剂为CO2O3。本发明实现了NiCuZn铁氧体在低温(920℃)下的烧结和制备，并得到低孔隙率低损耗的铁氧体材料。
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公开(公告)号：CN115463682A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211320587.5
申请日：2022-10-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体光催化材料制备领域，特别涉及一种S型晶化氮化碳同质结光催化材料的制备与光催化CO2还原应用。本发明以三聚氰胺、氯化锂、以及氯化钾为原料，结合异步结晶和静电自组装策略制备出S型晶化氮化碳同质结光催化材料并探究了其在光催化CO2还原领域的应用。该复合材料具有1D/2D面对面接触的结构，包含三嗪和七嗪两种晶相，两种晶相比例可精确调控。在三嗪/七嗪两种晶相的界面间存在界面电场，促使光生电子按照S型转移。S型同质结可通过多种表征证明，并且该S型同质结不受两种晶相比例的影响。在光催化二氧化碳还原应用中，在可见光的照射下，其CO生成速率高达19.38μmol g‑1h‑1，并且具有81.8μmol g‑1h‑1的电子消耗速率。
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