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公开(公告)号：CN115947600A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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公开(公告)号：CN117819961A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410007177.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体为一种Mg‑Ti‑O基高Q高导热微波介电陶瓷材料及其制备方法。本发明陶瓷材料采用固相反应法，通过对Mg2TiO4掺杂TiO2生成具备高Q值和高导热系数的次晶相MgTiO3，通过复合陶瓷体系改善了整体材料的微观结构和致密度，进而提高了陶瓷材料的热导率和Q×f值；本发明制备的(1‑y)Mg2TiO4+yMgTiO3陶瓷材料，0＜y＜0.5，其热导率为8.0～10.5W/(m·K)，Q×f值为100000～150000GHz，相对介电常数为14～16。本发明的Mg‑Ti‑O基高Q高导热微波介电陶瓷材料制备工艺简单、具有较高的热导率和Q×f值以及适当的介电常数，可作为多层陶瓷元器件材料和电路基板材料应用于电子封装领域。
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公开(公告)号：CN114824813A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210456980.0
申请日：2022-04-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明属于太赫兹成像元件设计领域，具体是一种可用于太赫兹近场成像的双频巨手性全硅结构。本发明采用琼斯矩阵法和各向异性结构组合的方式，通过破坏整体结构的镜像对称性和n级旋转对称性(n>2)，在两个不同的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，在太赫兹和手性超表面的研究基础上将二者结合，设计了一对双频巨手性结构。在1.09THz和1.65THz的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，并且两个频率下的最大圆二色性均高达0.34，其覆盖带宽分别为85.5GHz和41.4GHz。本发明有效解决了现有手性介质超表面多频段工作由于多个结构间存在寄生效应和耦合效应的问题，提供了一种新的设计思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118619662A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410663457.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于陶瓷封装材料技术领域，具体为一种与GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料及其制备方法，分子式为ZnAl2‑xBxO4(0.02≤x≤0.08)。本发明在ZnAl2O4陶瓷良好介电性能的基础上，利用B3+取代价态相同且半径相近的Al3+，通过B3+对Al3+的纯相取代，提升了该陶瓷的微波介电性能和CTE，进而作为高频、大功率和超大规模集成电路中GaAs半导体热匹配的电子封装陶瓷材料。其中，优选x＝0.04，1300℃预烧，1450℃烧结时得到的ZnAl1.96B0.04O4陶瓷，微波介电性能和CTE：εr＝8.3、Q×f＝68586GHz、τf＝‑46.5ppm/℃、CTE＝7.21×10‑6K‑1。
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公开(公告)号：CN118084477A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410061472.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/622 , C04B35/64 , G01R1/067
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种MgF2掺杂改性的CZP陶瓷材料及其制备方法与应用。本发明以具有负热膨胀系数、低介电常数的CZP陶瓷材料为基础，通过掺杂MgF2来改善CZP陶瓷的烧结性能，通过不同的掺杂量，在1000℃～1100℃较低温度下烧结致密化，使得改性后的CZP陶瓷材料的热膨胀系数CTE在2.9×10‑6/℃～5.87×10‑6/℃、介电常数为5.63～9.19、杨氏模量为40GPa～147Gpa。本发明提供了一种低介电常数、近硅的低热膨胀系数、较高机械强度、致密度良好的CZP复合陶瓷材料，可应用于基于多层陶瓷共烧技术制作晶圆探针卡陶瓷转接基板材料使用。
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公开(公告)号：CN120058361A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510196172.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 电子科技大学 , 成都宏科电子科技有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/30 , H01G4/12
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种MLCC微波陶瓷电容用铌酸锌基复合陶瓷材料。本发明以铌酸盐成分的微波介电陶瓷复合材料为主料，使用Ti和W联合取代ZnNb2O6中的B位Nb离子形成ZnNb1.98(TiW)0.01O6微波陶瓷主相；选择τf＝+78.6ppm/℃，εr＝56.3的Ni0.5Ti0.5NbO4材料作为复合相，通过传统的固相反应法在1050℃～1150℃下烧结得到复合陶瓷材料，在保证了两相复合过程中不产生杂相的同时，实现材料谐振频率温度系数近零调控、中介电常数、且保持高Q值的特性。可应用于基于多层陶瓷共烧技术的陶瓷电容制作。
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公开(公告)号：CN117894499A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410074941.3
申请日：2024-01-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种可低温共烧的非钌系内埋置电阻浆料及其制备方法。本发明以非钌系的La0.5Sr0.5Co0.96Ni0.04O3或La0.5Sr0.5Co0.94Nb0.06O3陶瓷作为导电相，既降低了材料成本，还避免了传统金属材料高温易氧化的缺点；结合与导电相化学兼容适配的Bi2O3‑B2O3‑SiO2‑ZnO和Li2O‑Bi2O3‑B2O3‑SiO2+TiO2作为无机黏结相，再辅以有机载体构成非钌系电阻浆料。采用该电阻浆料制备的内埋置电阻，与多层介电陶瓷生瓷带(介电常数≤8)能在925℃下的匹配共烧，烧结后匹配性较好，无明显的翘曲和分层发生具有良好的工艺适应性，可通过LTCC技术实现电阻在多层陶瓷电路基板的内埋置集成。本发明具有低成本和高性能的特点，为实现电阻元件在多层陶瓷基板的内埋置集成提供了基础。
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公开(公告)号：CN115947600B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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